[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板为背沟道刻蚀BCE结构显示基板；所述方法包括：

在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和半导体层；

在形成有所述半导体层的衬底基板上形成导电材质层；

对所述导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，所述导电材质层上与所述半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀，所述半导体层上各个位置的厚度相等，且所述半导体层上各个位置的导电特性无差异；

其中，所述导电材质层包括三个子导电材质层，所述三个子导电材质层按照靠近所述半导体层到远离所述半导体层的形成材料依次为金属钼、金属铝和金属钼，按照靠近所述半导体层到远离所述半导体层的顺序，所述三个子导电材质层各自厚度的取值范围分别为和

所述对所述导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，所述导电材质层上与所述半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀，包括：

通过湿法刻蚀工艺对所述导电材质层中，未与所述半导体层接触的子导电材质层进行刻蚀，且对与所述半导体层接触的子导电材质层进行过刻，但不刻透所述导电材质层；

通过干法刻蚀工艺对所述导电材质层中，与所述半导体层接触的子导电材质层进行刻蚀，并刻透所述导电材质层，得到源漏极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体为氟化硫气体和氧气的混合气体；或者，

所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体为氟化硫气体、氧气和氦气的混合气体。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，包括：

通过构图工艺对所述导电材质层进行处理，得到源漏极层，所述构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

4.一种采用权利要求1至3任一所述的方法制造的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板，以及，依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、半导体层和源漏极层，所述半导体层上各个位置的厚度相等，且所述半导体层上各个位置的导电特性无差异；

其中，所述源漏极层包括三个子层，所述三个子层按照靠近所述半导体层到远离所述半导体层的形成材料依次为金属钼、金属铝和金属钼，按照靠近所述半导体层到远离所述半导体层的顺序，所述三个子层各自厚度的取值范围分别为和

5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求4所述的显示基板。