[发明专利]有源栅极偏置驱动器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极驱动器，被配置为接收参考电压信号并且响应于接收到激活开关的指示，向所述开关的栅极输出用于激活所述开关的导通电压，其中所述参考电压信号由参考电压源生成，所述参考电压源具有与所述开关的温度系数对应的温度系数；以及

有源栅极偏置驱动器，被配置为响应于接收到将所述开关去激活的指示，根据所述参考电压信号，将所述开关的所述栅极处的电压有源地驱动到偏置电压；

其中所述偏置电压小于所述导通电压，并且其中所述偏置电压大于所述栅极驱动器的接地电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源栅极偏置驱动器被进一步配置为接收所述开关的所述栅极处的栅极电压的指示，并且其中所述有源栅极偏置驱动器进一步被配置为根据所述栅极电压的所述指示，将所述开关的所述栅极处的所述电压有源地驱动到所述偏置电压。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源栅极偏置驱动器被进一步配置为接收流过所述开关的电流的指示，并且其中所述有源栅极偏置驱动器进一步被配置为根据流过所述开关的所述电流的所述指示，将所述开关的所述栅极处的所述电压有源地驱动到所述偏置电压。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括缓冲器模块，所述缓冲器模块被配置为：

使得在将所述开关的所述栅极处的所述电压有源地驱动至所述偏置电压时，所述有源栅极偏置驱动器向所述开关的所述栅极初始输出经缓冲的电压；以及

修改经缓冲的电压，以对应于所述栅极处所检测的电压，所检测的电压在初始输出经缓冲的电压之后、且在激活所述开关之前被检测。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源栅极偏置驱动器进一步被配置为在所述开关的空载时间期间、在所述开关的体二极管传导期间、或其组合期间，将所述开关的所述栅极有源地驱动至所述偏置电压。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源栅极偏置驱动器是高电压栅极驱动器，并且所述开关是高电压开关。

7.一种半导体器件，包括：

栅极驱动器，被配置为响应于接收到激活开关的指示，向所述开关的栅极输出用于激活所述开关的导通电压；以及

有源栅极偏置驱动器，被配置为响应于接收到将所述开关去激活的指示，将所述开关的所述栅极处的电压有源地驱动到第一偏置电压；

其中所述第一偏置电压小于所述导通电压，并且其中所述第一偏置电压大于所述栅极驱动器的接地电压，以及

其中所述有源栅极偏置驱动器进一步被配置为：

在所述开关的第一空载时间期间，将所述开关的所述栅极处的所述电压有源地驱动至所述第一偏置电压，所述第一空载时间在所述开关被去激活之前；以及

在所述开关的第二空载时间期间，将所述开关的所述栅极处的所述电压有源地驱动到第二偏置电压，所述第二空载时间在所述开关被激活之前，

其中所述第二偏置电压不同于所述第一偏置电压。

8.一种用于运行半导体器件的方法，包括：

接收参考电压信号；

响应于接收到激活开关的指示，向所述开关的栅极输出用于激活所述开关的导通电压，其中所述参考电压信号由参考电压源生成，所述参考电压源具有与所述开关的温度系数对应的温度系数；以及

响应于接收到将所述开关去激活的指示，根据所述参考电压信号，将所述开关的所述栅极处的电压有源地驱动到偏置电压，其中所述偏置电压小于所述导通电压，并且其中所述偏置电压大于所述开关的接地电压。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

接收所述开关的所述栅极处的栅极电压的指示；以及

根据所述栅极电压的所述指示，将所述开关的所述栅极处的所述电压有源地驱动到所述偏置电压。