[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201711284742.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108242457B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 白正善;金正五;李鍾源;李东奎 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
披露了一种能够实现高分辨率的显示装置。该显示装置包括:设置在基板上的多条信号线;包括至少一个有机缓冲层和至少一个无机缓冲层的多个缓冲层;和设置成与多条信号线中的一条或更多条重叠的至少一个晶体管,并且在所述至少一个晶体管与所述多条信号线中的所述一条或更多条之间插入有所述多个缓冲层。因此,可确保充分的工艺裕度并因而实现高分辨率并且提高成品率。
本申请要求于2016年12月26日提交的韩国专利申请第10-2016-0178948号的权益,通过引用将该申请并入于此,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,且更具体地,涉及一种能够实现高分辨率的显示装置。
背景技术
在屏幕上实现各种信息的图像显示装置是信息和通信时代的核心技术,并且正朝着更薄、更轻、更便携和具有更高性能的方向发展。作为能够克服阴极射线管(CRT)的不利的重量和体积问题的平板显示装置的一个示例,通过控制有机发光层的发光强度来显示图像的有机发光显示(OLED)装置正受到关注。OLED装置是自发光装置,其特点在于低功耗、高响应速度、高发光效率、高亮度和宽视角。
OLED装置使用以矩阵形式布置的多个子像素显示图像。在此,每个子像素包括发光二极管和具有实现发光二极管的独立驱动的多个晶体管的像素驱动电路。
发光二极管通过掩模工艺与像素驱动电路中包括的多个晶体管分离地形成在该多个晶体管上。因此,如图1中所示,设置发光二极管的发光区域EA在垂直方向上与设置多个晶体管的晶体管区域TA重叠。然而,像素驱动电路中包括的存储电容器通过与多个晶体管相同的掩模工艺形成在与多个晶体管相同的平面中。因此,设置存储电容器的电容器区域CA不与晶体管区域TA重叠且在水平方向上与晶体管区域TA分隔开。此外,考虑到寄生电容的影响,电连接至多个晶体管的信号线,例如,数据线DL、高电压VDD供给线VL1和低电压VSS供给线VL2,布置成在水平方向上彼此分隔开。如此,因为信号线DL、VL1和VL2、晶体管区域TA和电容器区域CA在水平方向上彼此分隔开地布置在基板上,所以工艺裕度(processmargin)较小,这使得难以实现高分辨率并降低了成品率。
发明内容
因此,本发明涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的显示装置。
本发明的一个目的是提供一种能够实现高分辨率的显示装置。
在下面的描述中将部分列出本发明的其它优点、目的和特征,这些优点、目的和特征的一部分根据下面的解释对于本领域普通技术人员将变得显而易见的或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的目的,如在此具体和概括描述的,一种显示装置,包括:多条信号线,所述多条信号线设置在基板上;多个缓冲层,所述多个缓冲层包括至少一个有机缓冲层和至少一个无机缓冲层;和至少一个晶体管,所述至少一个晶体管设置成与所述多条信号线中的一条或更多条重叠,并且在所述至少一个晶体管与所述多条信号线中的所述一条或更多条之间插入有所述多个缓冲层。因此,可以确保充分的工艺裕度并因而实现高分辨率并且提高成品率。
应当理解,本发明前面的概括性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来提供对本发明的进一步理解且并入本申请并构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是用于解释常规有机发光显示装置的晶体管区域、电容器区域和发光区域的布置的平面图;
图2是图解根据本发明的有机发光显示装置的剖面图;
图3是用于解释根据本发明的有机发光显示装置的晶体管区域、电容器区域和发光区域的布置的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的