[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201711284742.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108242457B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 白正善;金正五;李鍾源;李东奎 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
多条信号线,所述多条信号线设置在基板上;
多个缓冲层,所述多个缓冲层包括至少一个有机缓冲层和至少一个无机缓冲层;
至少一个晶体管,所述至少一个晶体管设置成与所述多条信号线中的一条或更多条重叠,并且在所述至少一个晶体管与所述多条信号线中的所述一条或更多条之间插入有所述多个缓冲层;以及
存储电容器,所述存储电容器包括设置成彼此重叠的至少三个存储电极,并且在所述至少三个存储电极之间插入有所述至少一个无机缓冲层,
其中所述多个缓冲层包括第一无机缓冲层、第二无机缓冲层、有机缓冲层和第三无机缓冲层,并且
其中所述第一无机缓冲层、所述第二无机缓冲层、所述有机缓冲层和所述第三无机缓冲层顺序布置在所述基板上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第三无机缓冲层设置在所述有机缓冲层上并且具有与所述有机缓冲层相同的线宽度和相同的形状。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述存储电容器包括:
设置在所述基板与所述第一无机缓冲层之间的第一存储电极;
设置在所述第一无机缓冲层上的第二存储电极;和
设置在所述第二无机缓冲层上的第三存储电极。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一存储电极、所述第二存储电极和所述第三存储电极中的每一个在宽度方向上都具有位于同一侧的第一侧部和位于与所述同一侧相对的另一侧的相对侧部,
其中所述第二存储电极的所述第一侧部比所述第三存储电极的所述第一侧部在所述宽度方向上伸出更多,并且
其中所述第一存储电极和所述第三存储电极中的每一个的所述相对侧部比所述第二存储电极的所述相对侧部在所述宽度方向上伸出更多。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述第一存储电极的所述相对侧部比所述第三存储电极的所述相对侧部在所述宽度方向上伸出更多。
6.根据权利要求4或5所述的显示装置,进一步包括:
第一存储接触孔,所述第一存储接触孔形成为贯穿所述第一无机缓冲层和所述第二无机缓冲层以暴露所述第一存储电极和所述第三存储电极;和
第二存储接触孔,所述第二存储接触孔形成为贯穿所述第二无机缓冲层以暴露所述第二存储电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述第一存储电极使用与所述多条信号线中的一条相同的材料形成在与所述多条信号线中的所述一条相同的层上,并且
所述第三存储电极由与所述至少一个晶体管的有源层相同的材料形成。
8.根据权利要求6所述的显示装置,进一步包括:
连接至所述至少一个晶体管的发光二极管。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述至少一个晶体管包括:
连接至所述发光二极管的驱动晶体管,所述驱动晶体管包括经由所述第一存储接触孔连接至所述第一存储电极和所述第三存储电极的漏电极;和
连接至所述驱动晶体管的开关晶体管,所述开关晶体管包括经由所述第二存储接触孔连接至所述第二存储电极的漏电极。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一存储电极使用与所述多条信号线中的一条相同的材料形成在与所述多条信号线中的所述一条相同的层上,并且
所述第三存储电极由与所述驱动晶体管的有源层相同的材料形成。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述多条信号线包括:
连接至发光二极管的低电压供给线;和
平行于所述低电压供给线布置的高电压供给线和数据线两者,
其中所述低电压供给线、所述高电压供给线和所述存储电容器中的至少一个与所述数据线重叠,并且在所述低电压供给线、所述高电压供给线和所述存储电容器中的所述至少一个与所述数据线之间插入有所述多个缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的