[发明专利]高压电阻器件

权利要求书

1.一种高压电阻器件，包括:

衬底，包括具有第一掺杂类型的第一区；

漂移区，布置在所述第一区上方的所述衬底内并且具有第二掺杂类型；

主体区，具有所述第一掺杂类型并横向接触所述漂移区；

漏极区，布置在所述漂移区内并且具有所述第二掺杂类型；

掩埋的阱区，具有所述第二掺杂类型，其中，所述掩埋的阱区具有接触所述漂移区和所述主体区的上边界和接触所述第一区的下边界；

隔离结构，位于所述漏极区和所述主体区之间的所述衬底上方；以及

电阻器结构，位于所述隔离结构上方，并且具有连接至所述漏极区的高压端子和连接至所述隔离结构上方的栅极结构的低压端子。

2.根据权利要求1所述的高压电阻器件，其中，所述电阻器结构包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的高压电阻器件，其中，所述隔离结构围绕所述漏极区。

4.根据权利要求1所述的高压电阻器件，其中，所述电阻器结构沿着电阻材料的弯曲路径在所述高压端子和所述低压端子之间延伸。

5.根据权利要求1所述的高压电阻器件，其中，

所述主体区与所述隔离结构在垂直方向上不重叠。

6.根据权利要求5所述的高压电阻器件，其中，所述掩埋的阱区将所述主体区与所述第一区完全分离。

7.根据权利要求1所述的高压电阻器件，还包括：

主体接触区，包括所述第一掺杂类型并且布置在所述主体区内，其中，所述电阻器结构的低压端子进一步连接至所述主体接触区。

8.根据权利要求7所述的高压电阻器件，

其中，所述主体接触区沿着所述主体区的最上表面布置；以及

其中，具有所述第一掺杂类型的半导体材料沿着所述主体区的最上表面在所述主体接触区和所述漂移区之间连续地延伸。

9.根据权利要求1所述的高压电阻器件，还包括：

源极区，布置在所述主体区内并且具有所述第二掺杂类型；以及

一个或多个互连层，布置在所述衬底上方的介电结构内，并配置为将所述高压端子连接至所述漏极区，并且将所述低压端子连接至所述栅极结构和所述源极区。

10.一种高压电阻器件，包括:

衬底，包括具有第一掺杂类型的第一区；

RESURF(降低的表面电场)漂移区，具有第二掺杂类型，沿p-n结接触所述第一区；

隔离结构，位于所述RESURF漂移区上方；

主体区，具有所述第一掺杂类型并横向接触所述RESURF漂移区；

掩埋的阱区，具有所述第二掺杂类型；以及

漂移区，具有所述第二掺杂类型，其中，所述掩埋的阱区横向延伸穿过所述漂移区至所述主体区下面的位置；

漏极区，具有所述第二掺杂类型且设置在所述RESURF漂移区内，其中，所述漏极区具有与所述p-n结分离的最低边界；以及

电阻器结构，位于所述隔离结构上方，其中，所述电阻器结构具有高压端子和低压端子，所述高压端子靠近所述隔离结构的面向所述漏极区的第一侧，所述低压端子靠近所述隔离结构的远离所述漏极区的第二侧。

11.根据权利要求10所述的高压电阻器件，其中，所述电阻器结构包括多晶硅。

12.根据权利要求11所述的高压电阻器件，还包括：

栅极结构，布置在所述隔离结构和所述主体区之间的所述衬底上方。

13.根据权利要求12所述的高压电阻器件，还包括：

一个或多个互连层，布置在所述衬底上方的介电结构内，并配置为将所述高压端子连接至所述漏极区，并且将所述低压端子连接至所述栅极结构。