[发明专利]用于制造集成电路（IC）的方法

说明书

本公开提供了一种用于制造集成电路(IC)的方法。该方法包括接收IC布局，IC布局具有有源区、接合在有源区上的导电接触部件、以及待接合在所述导电接触部件的第一子集上并与导电接触部件的第二子集分隔开的导电通孔部件；评估导电通孔部件至导电接触部件的空间参数；以及根据空间参数修改IC布局，使得导电通孔部件具有S形弯曲形状。本公开还提供了另外的用于制造集成电路(IC)的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及用于制造集成电路(IC)的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步产生了多个IC时代，其中，每个时代都具有比先前时代更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大而几何尺寸(即，使用制造工艺可以做出的最小的组件(或线)) 减小。

IC可以包括每个由诸如晶体管、电容器等的各种逻辑组件形成的多个标准单元电路以提供布林(Boolean)逻辑功能或存储功能。然后，在多个标准单元电路上方形成诸如通孔和电源轨的互连结构以在标准单元电路之间提供连接和/或提供至外部设备的连接。然而，由于标准单元的尺寸变得越来越小，电源轨和其它电子组件之间的缝隙和间隙可能减少，这可能增加短路的风险。然而，减小电源轨的尺寸的尝试可能遭受增大的电阻并且可能导致速度降级。因此，需要的是一种电路结构和一种制造电路结构的方法以解决上述问题。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种用于制造集成电路(IC)的方法，包括：接收IC布局，IC布局具有有源区、接合在有源区上的导电接触部件、以及待接合在导电接触部件的第一子集上并与导电接触部件的第二子集分隔开的导电通孔部件；评估导电通孔部件至导电接触部件的空间参数；以及根据空间参数修改IC布局，使得导电通孔部件具有S形弯曲形状。

根据本申请的实施例，提供了一种用于制造集成电路(IC)的方法，包括：接收IC布局，IC布局具有将要在半导体衬底的相应材料层上形成的第一图案层、第二图案层和第三图案层，其中，第一图案层包括均具有沿第一方向定向的纵长形状的第一有源区和第二有源区；第二图案层包括具有沿与第一方向正交的第二方向定向的纵长形状的多个导电接触部件，其中，导电接触部件接合在第一有源区和第二有源区上，以及第三图案层包括接合在导电接触部件上的导电通孔部件；构建导电通孔部件的初始形状；以及将导电通孔部件的初始形状修改为修改形状，修改形状与导电接触部件的第一子集重叠并且远离导电接触部件的第二子集，其中，修改形状具有S形弯曲多边形，S形弯曲多边形具有沿不同于第一方向和第二方向的倾斜方向定向的边缘。

根据本申请的实施例，提供了一种用于制造集成电路(IC)的方法，包括：接收IC布局，IC布局具有将要在半导体衬底的相应材料层上形成的第一图案层和第二图案层，其中，第一图案层包括沿着第一方向间隔开的第一导电接触部件和第二导电接触部件，第一导电接触部件和第二导电接触部件的每个具有沿与第一方向正交的第二方向定向的纵长形状，以及第二图案层包括将要接合在第一导电接触部件上并且远离第二导电接触部件的导电通孔部件；以及将导电通孔部件修改为与第一导电接触部件重叠并且远离第二导电接触部件的第一多边形，其中，第一多边形具有沿不同于第一方向和第二方向的倾斜方向定向的边缘。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1A是根据一些实施例的半导体结构的顶视图。

图1B和图1C分别是根据一些实施例的图1A的半导体结构沿AA’虚线和BB’虚线的截面图。

图2A是根据一些实施例的半导体结构的顶视图。

图2B和图2C分别是根据一些实施例的图2A的半导体结构沿AA’虚线和BB’虚线的截面图。