[发明专利]用于制造集成电路（IC）的方法

权利要求书

1.一种用于制造集成电路(IC)的方法，包括：

接收IC布局，所述IC布局具有有源区、接合在所述有源区上的导电接触部件、以及待接合在所述导电接触部件的第一子集上并与所述导电接触部件的第二子集分隔开的导电通孔部件；

评估所述导电通孔部件至所述导电接触部件的空间参数；以及

根据所述空间参数修改所述IC布局，使得所述导电通孔部件具有S形弯曲形状。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在半导体衬底上形成浅沟槽隔离部件，从而限定所述有源区；

分别形成接合在所述有源区上的所述导电接触部件；以及

形成直接接合在所述导电接触部件的所述第一子集上的具有所述S形弯曲形状的所述导电通孔部件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述半导体衬底上形成具有所述S形弯曲形状的所述导电通孔部件包括：

在光掩模上形成图案，其中，所述图案限定具有所述S形弯曲形状的所述导电通孔部件；以及

通过使用所述光掩模的光刻工艺将所述图案转印至所述半导体衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

评估所述导电通孔部件至所述导电接触部件的所述空间参数包括评估所述导电通孔部件与所述第一子集中的所述导电接触部件中的一个之间的重叠面积；以及

修改所述IC布局包括如果所述重叠面积小于重叠目标，则向所述导电通孔部件添加矩形。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

评估所述导电通孔部件至所述导电接触部件的所述空间参数包括评估所述导电通孔部件与所述第二子集中的所述导电接触部件中的一个之间的横向距离；以及

修改所述IC布局包括如果所述横向距离小于间距目标，则从所述导电通孔部件抽取出矩形。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电接触部件包括具有纵长形状并且沿第一方向定向的第一导电接触部件和第二导电接触部件。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括将初始形状分配给所述导电通孔部件，其中，所述导电通孔部件的所述初始形状包括长度沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的矩形。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，评估所述导电通孔部件至所述导电接触部件的所述空间参数包括：

如果所述第一导电接触部件属于所述导电接触部件的所述第一子集，则评估所述第一导电接触部件和所述导电通孔部件之间的重叠面积；以及

如果所述第二导电接触部件属于所述导电接触部件的所述第二子集，则评估所述第二导电接触部件和所述导电通孔部件之间的横向距离。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，修改所述IC布局包括：

如果所述重叠面积小于重叠目标，则向所述导电通孔部件添加第一形状；以及

如果所述横向距离小于间距目标，则从所述导电通孔部件抽取第二形状。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一形状和所述第二形状中的每个是从正方形、矩形、三角形、梯形和菱形中选择的二维多边形。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一形状的二维多边形和所述第二形状的二维多边形中的一个包括沿与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向定向的边缘。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，修改所述IC布局包括：

向所述导电通孔部件添加第三形状，直至所述第一导电接触部件和所述导电通孔部件之间的所述重叠面积满足所述重叠目标；以及

从所述导电通孔部件抽取第四形状，直至所述第二导电接触部件和所述导电通孔部件之间的横向距离满足所述间距目标。