[发明专利]TFT、制作方法、阵列基板、显示面板及装置

说明书

本发明公开一种TFT、制作方法、阵列基板、显示面板及装置。该TFT包括：在衬底上形成的含氢缓冲层；在所述缓冲层上形成的氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括导体化区域和半导体化区域；在所述导体化区域上形成的源极或漏极，所述源极或漏极与所述导体化区域电连接；以及在所述半导体化区域上形成的栅极结构。本发明相较于现有技术制作工艺简单，并且在制作过程中避免了氧化物半导体层因等离子体轰击导致的表面缺陷以及因后续的热处理工艺导致的具有导体特性部分重新半导体化的问题。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域。更具体地，涉及一种TFT、其制作方法、阵列基板、显示面板及装置。

背景技术

随着显示器尺寸的不断增大，非晶硅薄膜晶体管出现了电子迁移率不足、均一性较差的问题，为了解决上述问题，使用IGZO等氧化物半导体材料取代非晶硅的技术应运而生。为了保证薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)中的源极和漏极(S/D)与IGZO有很好的接触，在制备过程中，IGZO与S/D接触的界面需要进行金属化。

现有技术中一般采用等离子技术对接触界面进行等离子体轰击，但该方法工艺复杂，生产效率高，并且金属化效果不佳，容易受后续工艺影响。

发明内容

为了解决上述技术问题中的至少一个，本发明的一个方面提供了一种TFT，包括：

在衬底上形成的含氢缓冲层；

在所述缓冲层上形成的氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括导体化区域和半导体化区域；

在所述导体化区域上形成的源极或漏极，所述源极或漏极与所述导体化区域电连接；以及

在所述半导体化区域上形成的栅极结构。

在一个优选实施例中，所述TFT还包括：在所述缓冲层和所述半导体化区域之间形成的遮挡层，所述遮挡层阻挡所述缓冲层中的氢进入所述半导体化区域。

在另一个优选实施例中，所述TFT还包括：在所述缓冲层和所述半导体化区域之间形成的遮挡层，所述遮挡层阻挡所述缓冲层中的氢进入所述半导体化区域。

在又一个优选实施例中，所述含氢缓冲层包括与所述导体化区域对应的含氢第一区域和与所述半导体化区域对应的不含氢第二区域。

本发明另一方面提供一种TFT的制作方法，包括：在衬底上形成含氢缓冲层；在所述缓冲层上形成氧化物半导体层；使缓冲层中的氢进入部分所述氧化物半导体层而等离子化，等离子化的氧化物半导体层形成为导体化区域，未被等离子化的氧化物半导体层形成为半导体化区域；在所述导体化区域上形成源极或漏极，所述源极或漏极与所述导体化区域电连接；以及在所述半导体化区域上形成栅极结构。

在一个优选实施例中，在形成所述氧化物半导体层之前，所述方法还包括：在所述缓冲层上形成图案化的遮挡层，其中所述遮挡层阻挡所述缓冲层中的氢进入所述氧化物半导体层。

在另一个优选实施例中，所述形成含氢缓冲层包括：所述在衬底上形成含氢缓冲层包括：在衬底上形成不含氢的缓冲层；在不含氢的缓冲层上形成图案化的光刻胶；对未被所述光刻胶遮挡的缓冲层进行注氢处理，得到含氢的第一区域，光刻胶遮挡的缓冲层形成为不含氢的第二区域；去除光刻胶；

或者

所述在衬底上形成含氢缓冲层包括：在所述衬底上形成不含氢材料层；在所述不含氢材料层中形成开孔，露出所述衬底；在所述开孔中形成含氢材料层；平坦化以使得所述不含氢材料层和含氢材料层的远离所述衬底的表面齐平，其中所述含氢材料层形成为第一区域，所述不含氢材料层形成为第二区域。

在又一个优选实施例中，根据所述氧化物半导体层的厚度选择所述缓冲层中氢的含量。

本发明另一方面提供一种阵列基板，包括如上一个方面所述的TFT。