[发明专利]一种具有超低功耗特性的电压基准电路

权利要求书

1.一种具有超低功耗特性的电压基准电路，包括粗电压基准电路模块、偏置电流模块、高低栅源电压产生模块和电压减法模块，其特征在于：

所诉粗电压基准电路模块包括第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7；所述第六NMOS管MN6的漏极接电源，其源极与栅极互连；第七NMOS管MN7的漏极接电源，其源极与栅极互连；所述第七PMOS管MP7的源极接第七NMOS管MN7的源极，第七PMOS管MP7的栅极和漏极接第六NMOS管MN6的源极；所述第六PMOS管MP6的源极接第七PMOS管MP7的漏极，第六PMOS管MP6的栅极和漏极接地；其中，第七NMOS管MN7的栅极和源极、第七PMOS管MP7源极的连接点为粗电压基准电路模块的输出端，输出第一基准电压VREF1；

所述偏置电流模块包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2和第五NMOS管MN5；所述第一PMOS管MP1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管MP2的漏极；第二PMOS管MP2的源极接电源，其栅极与漏极互连；第一NMOS管MN1的栅极和漏极互连，其漏极接第一PMOS管MP1的漏极，第一NMOS管MN1的源极接地；第二NOMS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极，第二NOMS管MN2的栅极接第一PMOS管MP1的漏极；第五NMOS管MN5的漏极接第二NMOS管MN2的源极，第五NMOS管MN5的栅极接第一基准电压VREF1，其源极接地；其中，第一PMOS管MP1栅极、第二PMOS管MP2栅极和漏极的连接点为偏置电流模块的输出端，输出偏置电压VB1；

所述高低栅源电压产生模块包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、低阈值NMOS管MNLV和高阈值NMOS管MNHV；所述第三PMOS管MP3的源极接电源，其栅极接偏置电压VB1；所述第四PMOS管MP4的源极接电源，其栅极接偏置电压VB1；所述低阈值NMOS管MNLV的漏极接第三PMOS管MP3的漏极，低阈值NMOS管MNLV的栅极与漏极互连，其源极接地；所述高阈值NMOS管MNHV的漏极接第四PMOS管MP4的漏极，高阈值NMOS管MNHV的栅极和漏极互连，其源极接地；

所述电压减法模块包括第五PMOS管MP5、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4；所述第五PMOS管MP5的源极接电源，其栅极接偏置电压VB1；所述第三NMOS管MN3的漏极接第五PMOS管MP5的漏极，第三NMOS管MN3的漏极接第四PMOS管MP4的漏极；所述第四NMOS管MN4的漏极接第三NMOS管MN3的源极，第四NMOS管MN4的栅极接第三PMOS管MP3的漏极，第四NMOS管MN4的源极接地；所述第三NMOS管MN3源极与第四NMOS管MN4漏极的连接点为电压基准电路的输出端，输出基准电压VREF。