[发明专利]发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201711267179.7 | 申请日: | 2017-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN108231834B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
| 发明(设计)人: | 金钟成;金豪镇;白承旼 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光显示装置,该发光显示装置包括:
多个像素,所述多个像素中的每一个包括:
晶体管,所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一侧的源极以及连接到所述有源层的另一侧的漏极;以及
发光器件,所述发光器件具有第一电极、设置在所述第一电极上的发光层以及设置在所述发光层上的第二电极;以及
接触孔,所述多个像素中的至少两个像素的第一电极在所述接触孔中电连接到相应源极的侧表面或相应漏极的侧表面,
其中,所述接触孔被底切以使所述相应源极或所述相应漏极的下表面暴露。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述接触孔包括具有第一宽度的入口、具有第二宽度的底部以及位于所述入口与所述底部之间并具有第三宽度的接触区域,所述至少两个像素的第一电极在所述接触区域中电连接到所述相应源极或所述相应漏极,所述第三宽度小于所述第一宽度和所述第二宽度。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置,该发光显示装置还包括:
虚拟电极,所述虚拟电极被设置在所述接触孔的底部上,所述虚拟电极与所述至少两个像素的第一电极断开。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置,其中,所述虚拟电极和所述至少两个像素的第一电极由相同的材料形成。
5.根据权利要求2所述的发光显示装置,该发光显示装置还包括:堤,所述堤位于所述接触孔的所述底部、所述接触区域和所述入口中。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置,该发光显示装置还包括:堤,所述堤至少部分地填充所述接触孔。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置,该发光显示装置还包括:第一平整层,所述第一平整层位于所述第一电极与所述源极和所述漏极中的至少一个之间。
8.根据权利要求6所述的发光显示装置,该发光显示装置还包括:虚拟电极,所述虚拟电极位于所述接触孔中的层间电介质上,并且所述层间电介质在第一平整层下方。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置,其中,所述虚拟电极在所述接触孔中与所述层间电介质的侧表面的第一部分接触,并且所述堤在所述接触孔中与所述层间电介质的侧表面的位于所述虚拟电极与所述源极或所述漏极之间的第二部分接触。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述晶体管还包括:栅极绝缘层,所述栅极绝缘层被设置在所述有源层与所述栅极之间;层间电介质,所述层间电介质被设置在所述栅极与所述源极之间以及所述栅极与所述漏极之间;以及第一平整层,所述第一平整层被设置在所述源极和所述漏极上,并且
所述接触孔延伸穿过所述第一平整层并且至少部分地延伸到所述层间电介质中。
11.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述至少两个像素包括:第一像素;第二像素,所述第二像素沿第一方向与所述第一像素相邻;第三像素,所述第三像素沿与所述第一方向横切的第二方向与所述第一像素相邻;以及第四像素,所述第四像素沿所述第一方向与所述第三像素相邻且沿所述第二方向与所述第二像素相邻。
12.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述至少两个像素包括:第一像素;第二像素,所述第二像素沿第一方向与所述第一像素相邻;以及第三像素,所述第三像素沿与所述第一方向横切的第二方向与所述第一像素或所述第二像素中的一个相邻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





