[发明专利]发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201711259314.3 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN108231833B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 金钟成 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
公开了一种发光显示装置及其制造方法,其防止发光层的寿命缩短并且防止导通缺陷的发生。该发光显示装置包括多个像素,所述多个像素各自包括:晶体管,所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一侧的源极、以及连接到所述有源层的另一侧的漏极。所述多个像素还包括发光器件,所述发光器件具有第一电极、设置在所述第一电极上的发光层以及设置在所述发光层上的第二电极。所述发光显示装置包括接触孔,所述多个像素中的至少两个的第一电极设置在所述接触孔中的相应的源极或相应的漏极上并且电连接到所述相应的源极或所述相应的漏极。
技术领域
本公开涉及一种发光显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息化社会的发展,对用于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。因此,近来正在使用诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、发光显示装置等的各种显示装置。
包括有机发光显示装置的发光显示装置是自发光显示装置,并且在视角和对比度方面比LCD装置好。另外,由于有机发光显示装置不需要单独的背光,因此可以使有机发光显示装置变轻并变薄,并且有机发光显示装置的功耗优异。此外,有机发光显示装置以低的直流(DC)电压驱动,响应时间快,并且制造成本低。
有机发光显示装置各自包括阳极,划分阳极的堤,形成在阳极上的空穴传输层、有机发光层和电子传输层,以及形成在电子传输层上的阴极。在这种情况下,当向阳极施加高电平电压并且向阴极施加低电平电压时,空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层并且在有机发光层中彼此复合以发光。
在有机发光显示装置中,在依次层叠有阳极、有机发光层和阴极的相应区域中形成发光的像素。在不发光的相应非发光区域中设置堤。也就是说,该堤用作限定像素的像素限定层。
阳极通过接触孔与薄膜晶体管(TFT)的源极或漏极连接,并通过TFT被提供以高电平电压。由于接触孔的台阶高度,有机发光层难以均匀地沉积在接触孔中,因此,有机发光层被堤覆盖而没有形成在接触孔中。
近来,正在开发包括有机发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器是用于虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的监视器装置,它们被佩戴为眼镜式或头盔式,并在靠近用户眼睛的距离处形成焦点。应用于头戴式显示器、移动装置等的小型有机发光显示装置具有高分辨率,因此每个像素的尺寸逐渐减小。
然而,接触孔通过光刻工艺形成,并且由于光刻工艺的限制,接触孔不能被形成为具有一定尺寸或更小尺寸。也就是说,虽然像素的尺寸减小,但是在减小接触孔的尺寸方面存在限制。具体地,接触孔设置在非发光区域中,因此,当像素的尺寸减小时,像素中的非发光区域的面积比增加,而像素中的发光区域的面积比减小。如果像素中的发光区域的面积比减小,那么应该增加发光区域的亮度,以便补偿发光区域的减小的比例,为此,缩短了有机发光层的寿命。
此外,如果像素的尺寸减小,则TFT的源极或漏极的尺寸会变得小于接触孔的尺寸。在这种情况下,阳极不仅仅形成在通过接触孔暴露的源极或漏极的上表面上,并且可形成在接触孔的底部和源极或漏极的侧表面上。因此,如图1A和图1B所示。由于接触孔的底部与源极或漏极之间的台阶高度,阳极会在源极或漏极的侧表面中断开。因此,会发生像素不发光的导通缺陷。
发明内容
因此,本公开旨在提供一种发光显示装置及其制造方法,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
本公开的一个方面旨在提供一种防止发光层的寿命缩短的发光显示装置及其制造方法。
本公开的另一方面旨在提供一种防止发生导通缺陷的发光显示装置及其制造方法。
本公开的另外的优点和特征将在下面的描述中被部分地阐述,并且对于本领域普通技术人员而言在查阅下文之后部分地将变得明显或者可从本公开的实践而得知。通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构可实现并获得本公开的目的和其它优点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的