[发明专利]一种太阳能电池及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种太阳能电池及其制造方法。

背景技术

光面的太阳电池表面对太阳光的反射率在35％以上，如果不做处理，则太阳电池的短路电流势必很低，无法达到高效性能,为此我们提出了一种太阳能电池。

同时生产原有的太阳能电池板的方法出现残次品概率较高，并且现今的太阳能生产工艺完全满足不了要求。为此提出一种太阳能电池及其制造方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池和制造方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种太阳能电池：包括上极板和下极板，所述上极板的底面形成有掺磷层，所述下极板的上表面形成有掺硼层，所述掺磷层和掺硼层相贴合，所述下极板的底面贴合有具有变换反光角度的反光折射板，所述上极板与下极板的外侧壁套接有提高离子交换速度的磁场变换装置，所述上极板和下极板为硅板，且上极板的底面和下极板的上表面嵌入有电极。

优选的，所述反光折射板包括底板，所述底板的底面贴合有反光层，所述底板的上表面均匀开设有凹槽，所述凹槽内放置有铁粒，所述底板的上表面与下极板的底面相贴合。

优选的，所述凹槽为圆形凹槽。

优选的，所述铁粒表面为凹凸不平的表面。

优选的，所述磁场变换装置包括外壳，所述外壳的中部开设有缠绕槽，所述缠绕槽的内侧壁缠绕有铜线，所述铜线的两端与外部电源相贴合。

优选的，所述铜线的外表面需要喷涂电介质层。

优选的，所述外部电源需选择交流电源。

本发明提供一种太阳能电池制造方法：

第一步，硅片切割，材料准备，采用坩锅直拉法制的太阳级单晶或多晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片，硅片的边长为10~15cm，厚度200~350um，电阻率1Ω.cm；

第二步，制绒，把原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀；

第三部，扩散制结，扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂，硼做P型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质；

第四步，边缘刻蚀、清洗，去除扩散过程中形成的磷硅玻璃；

第五步，丝网印刷上下电极，采用真空蒸镀或化学电镀技术或采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线；

第六步，共烧形成金属接触，采用链式烧结炉进行快速烧结；

第七步，固定反光折射板，将反光板直接烧结于下极板的底面上；

第八步，套壳，将磁场变换装置的外壳套接在上极板和下极板的外侧壁上；

第九步，缠绕铜，将铜线均匀缠绕在凹槽上。

优选的，所述第一步，切割材料后需要去除损伤。

优选的，所述第九步，铜线在缠绕前需要喷涂电介质层。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提出的太阳能电池结构利用铜线的缠绕与交流电源的连接，实现了磁场的频繁变化，增加了太阳能电池的内部电子移动效率，从而提高了天阳能电池的电源的转化效率，并且本发明提出的反光折射板，通过铜线的磁力效应实现了反光折射板内部铁粒反复跳动，从而实现了较高效率的光线漫反射的功能。

附图说明

图1为本发明结构示意总图；

图2为本发明第一实施例结构示意图；

图3为本发明第二实施例结构示意图。

图中：1上极板、2下极板、3掺磷层、4掺硼层、5反光折射板、51底板、52反光层、54铁粒、53凹槽、6磁场变换装置、61外壳、62缠绕槽、63铜线、7电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1