[发明专利]一种太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括上极板（1）和下极板（2），其特征在于：所述上极板（1）的底面形成有掺磷层（3），所述下极板（2）的上表面形成有掺硼层（4），所述掺磷层（3）和掺硼层（4）相贴合，所述下极板（2）的底面贴合有具有变换反光角度的反光折射板（5），所述上极板（1）与下极板（2）的外侧壁套接有提高离子交换速度的磁场变换装置（6），所述上极板（1）和下极板（2）为硅板，且上极板（1）的底面和下极板（2）的上表面嵌入有电极（7）。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述反光折射板（5）包括底板（51），所述底板（51）的底面贴合有反光层（52），所述底板（51）的上表面均匀开设有凹槽（53），所述凹槽（53）内放置有铁粒（54），所述底板（51）的上表面与下极板（2）的底面相贴合。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述凹槽（53）为圆形凹槽。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述铁粒（54）表面为凹凸不平的表面。

5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于：所述磁场变换装置（6）包括外壳（61），所述外壳（61）的中部开设有缠绕槽（62），所述缠绕槽（62）的内侧壁缠绕有铜线（63），所述铜线（63）的两端与外部电源相贴合。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述铜线（63）的外表面需要喷涂电介质层。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述外部电源需选择交流电源。

8.一种制造如权利要求1-7之一所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

第一步，硅片切割，材料准备，采用坩锅直拉法制的太阳级单晶或多晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片，硅片的边长为10~15cm，厚度200~350um，电阻率1Ω.cm；

第二步，制绒，把原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失；

第三部，扩散制结，分别采用磷和硼固态扩散在上极板（1）的掺磷层（3）和下极板（2）的掺硼层（4）；

第四步，边缘刻蚀、清洗，去除扩散过程中形成的磷硅玻璃；

第五步，丝网印刷上下电极，采用真空蒸镀或化学电镀技术或采用丝网印刷法在太阳电池的正、背面形成正负电极引线；

第六步，共烧形成金属接触，采用链式烧结炉进行快速烧结；

第七步，固定反光折射板（5），将反光板（5）直接烧结于下极板（2）的底面上；

第八步，套壳，将磁场变换装置（6）的外壳套接在上极板（1）和下极板（2）的外侧壁上；

第九步，缠绕铜（63），将铜线（63）均匀缠绕在凹槽上。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：第一步中所述切割材料后需要去除损伤。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第九步中铜线在缠绕前需要喷涂电介质层。