[发明专利]一种高效率的有机单层发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种高效率有机单层发光二极管，其特征在于，该发光二极管的层状结构自下而上的顺序设置为：透明衬底、透明阳极、发光层、电子注入层和金属阴极。

2.根据权利要求1所述的一种高效率有机单层发光二极管，其特征在于，所述的透明衬底为透明玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种高效率有机单层发光二极管，其特征在于，所述的透明阳极为氧化铟锡ITO。

4.根据权利要求1所述的一种高效率有机单层发光二极管，其特征在于，所述的发光层主体为1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯，简称TPBi；发光层客体为三(2-苯基吡啶)铱，简称Ir(ppy)3。

5.根据权利要求1所述的一种高效率有机单层发光二极管，其特征在于，所述的电子注入层是氟化锂LiF。

6.根据权利要求1所述的一种高效率有机单层发光二极管，其特征在于，所述的金属阴极为铝Al。

7.一种如权利要求1所述的高效率有机单层发光二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

1)预处理ITO玻璃：将刻蚀并清洗干净的ITO导电玻璃用氮气吹干并进行紫外线臭氧处理；

2)再把预处理好的ITO玻璃和氯化溶剂一同放入封闭的玻璃反应釜中，再共同紫外处理，然后把氯化完的ITO玻璃即Cl-ITO阳极装入真空镀膜系统中；

3)在一个真空度为5×10-4帕斯卡以下的真空镀膜系统中采用真空热蒸发的方法，依次在所述的Cl-ITO玻璃上蒸镀80-100纳米的发光层TPBi、Ir(ppy)3，Ir(ppy)3的质量分数占整个发光层质量的30-35％，0.7-1纳米的电子注入层LiF，及120-150纳米的金属阴极Al；

其中Cl-ITO阳极和金属阴极的相互交叉部分形成器件的发光区。

8.根据权利要求7所述的一种高效率有机单层发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的所述的氯化溶剂为氯仿、氯苯或二氯苯中的一种。

9.根据权利要求7所述的一种高效率有机单层发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的TPBi的蒸发速率控制在0.05-0.1纳米每秒，Ir(ppy)3的蒸发速率控制在0.015-0.033纳米每秒，LiF的蒸发速率控制在0.005-0.01纳米每秒，厚金属阴极的蒸发速率控制在0.3-0.5纳米每秒。