[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201711241891.X | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107978610B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 楼均辉;吴天一;符鞠建 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
本发明描述了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法。阵列基板包括像素驱动电路和外围驱动电路。阵列基板还包括多个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括电连接于外围驱动电路中且用于输出扫描信号的第一薄膜晶体管和电连接于外围驱动电路中且用于输出扫描信号的第二薄膜晶体管。薄膜晶体管包括至少一层氧化物半导体有源层。第一薄膜晶体管的有源层的层数多于第二薄膜晶体管的有源层的层数,第一薄膜晶体管的有源层的厚度大于第二薄膜晶体管的有源层的厚度。且第二薄膜晶体管中的各有源层均与第二薄膜晶体管中的有源层同层。通过本发明可以使不同的区域中的薄膜晶体管具有不同的特性,以满足不同区域的电路对薄膜晶体管的不同特性需求。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及阵列基板和包含其的显示面板、显示装置以及阵列基板的制造方法。
背景技术
现有技术中,平面显示器从驱动方式分为有源矩阵显示器和无源矩阵显示器。有源矩阵显示器和无源矩阵显示器的区别在于有源矩阵显示器的电路结构中设置有有源元件,通常有源元件为薄膜品体管。有源矩阵显示器通过薄膜品体管控制显示器的像素等区域工作。
但是电路结构中的各个薄膜品体管的功能、用途会有所不同。对于电路结构中发挥不同作用的薄膜晶体管,对这些薄膜晶体管的性能或参数的要求也有所差异。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种阵列基板、包含该阵列基板的显示面板、显示装置以及阵列基板的制造方法。
本发明提供了一种阵列基板,包括:
基底;
设置在所述基底一侧上的多个电路结构;所述电路结构包括位于显示区的像素驱动电路和围绕所述显示区的外围驱动电路;
所述电路结构包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括沿垂直于所述基底方向层叠设置的栅极、栅极绝缘层、至少一层氧化物半导体有源层以及源漏极;
所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管的有源层的层数多于所述第二薄膜晶体管的有源层的层数,所述第一薄膜晶体管的有源层的厚度大于所述第二薄膜晶体管的有源层的厚度;且所述第二薄膜晶体管中的各有源层均与所述第二薄膜晶体管中的有源层同层;
所述第一薄膜晶体管电连接于所述像素驱动电路中,用于输出控制显示器件亮度的驱动信号;
所述第二薄膜晶体管电连接于所述外围驱动电路中,用于输出扫描信号。
本发明还提供了一种包含该阵列基板的显示面板。
本发明还提供了一种包含该显示面板的显示装置。
本发明还包括阵列基板的制造方法,包括:
在基底一侧上分别形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层以及源漏极;
其中,形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的所述有源层包括:
在所述基底的一侧上形成第一有源层,图案化所述第一有源层,形成所述第一薄膜晶体管的有源层的一部分;
在所述第一有源层远离所述基底的一侧上形成第二有源层,图案化所述第二有源层,形成所述第二薄膜晶体管的有源层以及所述第一薄膜晶体管的有源层的另一部分。
通过本发明可以使不同的区域中的薄膜晶体管具有不同的特性,以满足不同区域的电路对薄膜晶体管器件的不同特性需求。同时还实现了在同一基底上同时完成满足不同特性需求的薄膜晶体管,提高电路可靠性的同时简化工艺,不用增加工艺窗口;也不会增加膜层厚度。
附图说明
图1是现有技术中的一种阵列基板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的