[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

基底；

设置在所述基底一侧上的多个电路结构；所述电路结构包括位于显示区的像素驱动电路和围绕所述显示区的外围驱动电路；

所述电路结构包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括沿垂直于所述基底方向层叠设置的栅极、栅极绝缘层、至少一层氧化物半导体有源层以及源漏极；

所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的有源层的层数多于所述第二薄膜晶体管的有源层的层数，所述第一薄膜晶体管的有源层的厚度大于所述第二薄膜晶体管的有源层的厚度；且所述第二薄膜晶体管中的各有源层均与所述第一薄膜晶体管中的有源层同层；

所述第一薄膜晶体管电连接于所述像素驱动电路中，用于输出控制显示器件亮度的驱动信号；

所述第二薄膜晶体管电连接于所述外围驱动电路中，用于输出扫描信号。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管与所述像素驱动电路中的显示器件直接电连接；

所述第二薄膜晶体管与所述外围驱动电路的输出端直接电连接。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同层的有源层位于所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管不同层的有源层远离所述基底的一侧。

4.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

沿垂直于所述基底的方向层叠设置的第一有源层和第二有源层；

所述第一薄膜晶体管的有源层为双层结构，分别与所述第一有源层和所述第二有源层同层；

所述第二薄膜晶体管的有源层为单层结构，仅与所述第二有源层同层。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管中，所述第二有源层在所述基底上的正投影覆盖所述第一有源层在所述基底上的正投影。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的有源层包括沟道区和位于沟道区两端的源漏极接触区，所述第一薄膜晶体管的有源层中的所述第一有源层和所述第二有源层在所述沟道区内的正投影图案一致，所述沟道区的正投影与所述栅极交叠，所述第一有源层和所述第二有源层落在所述栅极上的正投影重合，使所述第一有源层和所述第二有源层产生的沟道宽度相同。

7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一有源层的厚度小于所述第二有源层的厚度。

8.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二有源层的厚度范围为到

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二有源层的厚度为

10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一有源层的厚度范围为到200Å 。

11.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源层厚度的差值为到

12.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的所述栅极同层；

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的所述栅极绝缘层同层；

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的所述源漏极同层。

13.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管连接在所述电路结构中的位置还包括第一位置，在所述电路结构工作过程中，所述第一位置的薄膜晶体管处于正偏压的时间大于处于负偏压的时间，所述第一位置连接的薄膜晶体管为所述第一薄膜晶体管。