[发明专利]芯片封装方法及封装结构在审
申请号: | 201711230600.7 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108231607A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | PEP创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京智信四方知识产权代理有限公司 11519 | 代理人: | 宋海龙 |
地址: | 新加坡加*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装芯片 密封层 芯片封装 载板 封装结构 包封层 贴装 发生移动 后续工艺 预定位置 再布线 包封 朝上 封装 背面 剥离 覆盖 | ||
1.一种芯片封装方法,包括:
将至少一个待封装芯片贴装于载板上,所述至少一个待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述载板;
形成密封层,所述密封层至少包裹在所述至少一个待封装芯片的四周;
形成第一包封层,所述第一包封层覆盖在整个所述载板上,用于包封住所述至少一个待封装芯片以及所述密封层;
剥离所述载板,露出所述至少一个待封装芯片的正面;
在所述至少一个待封装芯片的正面通过再布线工艺完成封装。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述将至少一个待封装芯片贴装于载板上,包括:
在所述载板上形成粘接层;
通过所述粘接层将所述至少一个待封装芯片贴装于所述载板的预定位置处。
3.如权利要求2所述的方法,其中,所述形成密封层,包括:
利用半导体工艺将密封材料覆盖在贴装有所述至少一个待封装芯片的背面以及露出的粘接层表面;
去除所述至少一个待封装芯片背面的密封材料;
固化所述密封材料。
4.如权利要求1-3任一项所述的方法,其中,所述密封层高度低于所述至少一个待封装芯片的高度,且所述密封层采用热固化或紫外线固化绝缘材料。
5.如权利要求1所述的方法,其中,在所述至少一个待封装芯片的正面通过再布线工艺完成封装,包括:
在所述至少一个待封装芯片的正面以及密封层上形成钝化层;
在所述钝化层上与所述至少一个待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成第一开口;
形成第一再布线层,使得所述第一再布线层通过所述第一开口与所述至少一个待封装芯片的焊垫电连接;
形成第二包封层,用于包封所述第一再布线层以及露出的钝化层,并通过第一导电凸柱引出所述第一再布线层的焊垫或连接点。
6.如权利要求5所述的方法,在所述至少一个待封装芯片的正面通过重布线工艺完成封装,还包括:
在第二包封层上形成第二再布线层,所述第二再布线层通过所述第一导电凸柱与所述第一再布线层的焊垫或连接点电连接;
形成第三包封层,用于包封所述第二再布线层以及露出的第二包封层,并通过第二导电凸柱引出所述第二再布线层的焊垫或连接点。
7.如权利要求5或6所述的方法,其中,形成第二包封层,用于包封所述第一再布线层以及露出的钝化层,并通过第一导电凸柱引出所述第一再布线层的焊垫或连接点,包括:
在所述第一再布线层的焊垫或连接点上形成第一导电凸柱;
在所述第一再布线层以及露出的钝化层上形成第二包封层,并露出所述第一导电凸柱;或,
形成第二包封层,用于包封所述第一再布线层以及露出的钝化层,并通过第一导电凸柱引出所述第一再布线层的焊垫或连接点,包括:
在所述第一再布线层以及露出的钝化层上形成第二包封层;
在所述第二包封层上与所述第一再布线层的焊垫或连接点对应的位置处形成第二开口;
在所述第二开口内形成第一导电凸柱。
8.如权利要求6所述的方法,其中,形成第三包封层,用于包封所述第二再布线层以及露出的第二包封层,并通过第二导电凸柱引出所述第二再布线层的焊垫或连接点,包括:
在所述第二再布线层的焊垫或连接点上形成第二导电凸柱;
在所述第二再布线层以及露出的第二包封层上形成第三包封层,并露出所述第二导电凸柱;或,
形成第三包封层,包封所述第二再布线层以及露出的第二包封层,并通过第二导电凸柱引出所述第二再布线层的焊垫或连接点,包括:
在所述第二再布线层以及露出的第二包封层上形成第三包封层;
在所述第三包封层上与所述第二再布线层的焊垫或连接点对应的位置处形成第三开口;
在所述第三开口内形成第二导电凸柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造