[发明专利]具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201711227140.2 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108122929B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 李晙硕;金世埈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;杜诚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 两个 电极 之间 绝缘 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
下基板;
在所述下基板上方的第一覆盖层,所述第一覆盖层包括第一接触孔;
在所述下基板与所述第一覆盖层之间的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括包含与所述第一接触孔交叠的端部的漏电极,所述漏电极的端部包括底切区域;
在所述薄膜晶体管与所述第一覆盖层之间的下钝化层,所述下钝化层部分地露出所述漏电极的端部的侧表面;以及
在所述第一覆盖层上方的发光结构,所述发光结构通过所述第一接触孔电连接至所述薄膜晶体管,
其中,所述下钝化层的靠近所述漏电极的端部设置的部分被切除,以使得所述下钝化层包括:
与所述漏电极的底切区域交叠的第一部分;以及
在所述漏电极的端部的外部的第二部分,所述第二部分与所述第一部分间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述漏电极包括:
第一漏电极;以及
第二漏电极,其被布置在所述第一漏电极与所述下钝化层之间,所述第二漏电极的侧表面比所述第一漏电极的侧表面更靠近所述第一接触孔的中心。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述下钝化层露出所述第一漏电极的侧表面。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二漏电极具有相对于所述第一漏电极的蚀刻选择性。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第二漏电极包括具有比所述第一漏电极的材料的蚀刻速度慢的蚀刻速度的材料。
6.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
连接在所述第一覆盖层与所述发光结构之间的连接电极,所述连接电极延伸至所述第一接触孔的内部;以及
在所述连接电极与所述发光结构之间的第二覆盖层,所述第二覆盖层包括与所述连接电极交叠的第二接触孔,
其中,所述发光结构通过所述连接电极和所述第二接触孔电连接至所述薄膜晶体管。
7.一种显示装置,包括:
下基板;
在所述下基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括漏电极,所述漏电极具有第一电极和第二电极的堆叠结构;
在所述薄膜晶体管上的下钝化层,所述下钝化层部分地露出所述漏电极的端部的侧表面;
在所述下钝化层上的下覆盖层,所述下覆盖层包括与由所述下钝化层露出的所述漏电极的端部的侧表面交叠的下接触孔;
在所述下覆盖层上的连接电极,所述连接电极通过所述下接触孔与由所述下钝化层露出的所述漏电极的端部的侧表面接触;
在所述下覆盖层上的辅助电极,所述辅助电极与所述连接电极间隔开;
在所述连接电极和所述辅助电极上的上覆盖层,所述上覆盖层包括露出所述连接电极的一部分的上接触孔和露出所述辅助电极的一部分的通孔;以及
在所述上覆盖层上的发光结构,所述发光结构包括通过所述上接触孔连接至所述连接电极的下发射电极、通过所述通孔电连接至所述辅助电极的上发射电极、以及在所述下发射电极和所述上发射电极之间的发光层,
其中,在所述漏电极的第二电极与所述下钝化层之间的漏电极的第一电极包括设置在所述第二电极外部的尖端区域,并且
其中,所述下钝化层被所述漏电极的尖端区域部分地切除。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述辅助电极包括与所述连接电极相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的