[发明专利]复合膜及其制造方法和封装结构在审
| 申请号： | 201711219151.6 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107910451A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 孙力 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;B32B9/04;B32B9/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 及其 制造 方法 封装 结构 | ||
1.一种复合膜，其特征在于，包括：基质膜和位于所述基质膜内部的至少一个阻水膜；所述基质膜的数量为多层，且多层所述基质膜之间相互独立；每层所述基质膜内的阻水膜的数量为多个且均设置于同一平面上，相邻层所述基质膜内部的阻水膜交错设置。
2.根据权利要求1所述的复合膜，其特征在于，所述阻水膜之间形成有间隔，某一层所述基质膜内部的阻水膜之间的间隔与相邻层所述基质膜内部的阻水膜相对设置。
3.根据权利要求1或2所述的复合膜，其特征在于，所述基质膜的数量为2至4层。
4.根据权利要求1或2所述的复合膜，其特征在于，所述基质膜的厚度为1μm至1000μm。
5.根据权利要求1或2所述的复合膜，其特征在于，所述基质膜为柔性结构，所述阻水膜为刚性结构。
6.一种封装结构，其特征在于，包括：衬底基板、有机发光二极管和上述权利要求1至5任一所述的复合膜，所述有机发光二极管位于所述衬底基板上，所述复合膜位于所述有机发光二极管上。
7.一种复合膜的制造方法，其特征在于，包括：
形成基质膜，且在形成基质膜的工艺过程中在所述基质膜内部形成至少一个阻水膜；所述基质膜的数量为多层，每层所述基质膜内的阻水膜的数量为多个且均设置于同一平面上，相邻层所述基质膜内部的阻水膜交错设置。
8.根据权利要求7所述的复合膜的制造方法，其特征在于，所述形成基质膜，且在形成基质膜的工艺过程中在所述基质膜内部形成至少一个阻水膜包括：
形成一基质膜前驱层；
在所述基质膜前驱层上形成至少一个阻水膜；
在所述阻水膜上形成另一基质膜前驱层；
进行固化处理，以形成所述基质膜。
9.根据权利要求8所述的复合膜的制造方法，其特征在于，还包括：
将形成的多层所述基质膜进行贴合处理。
10.根据权利要求8或9所述的复合膜的制造方法，其特征在于，所述进行固化处理包括：通过UV固化或者热固化的方式实现固化处理。
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