[发明专利]制作图像传感器的方法

说明书

一种制作图像传感器的方法包括：在衬底中植入第一掺杂剂；移除所述衬底的一部分以界定突出部；在所述突出部之上形成导电特征；以及在所述突出部中植入第二掺杂剂。所述移除所述衬底的所述一部分界定环绕所述突出部的第一表面。所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂相同的导电类型。

技术领域

本发明实施例涉及一种制作图像传感器的方法。

背景技术

半导体图像传感器被用于检测例如可见光等辐射。互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)图像传感器(CMOS image sensor，CIS)及电荷耦合组件(charge-coupled device，CCD)被应用于例如照相机、移动电话及膝上型计算机等各种应用中以捕获图像。CIS利用在衬底中像素阵列，所述像素阵列包括用于吸收在所述衬底处接收到的光子并将所述光子转换成电荷的晶体管及光电二极管。由电荷而造成的模拟信号被放大且模拟/数字转换器(analog-to-digital converter)将所述经放大的信号转换成数字信号。此后，执行例如颜色校正(color correction)、伽马校正(gamma correction)及白平衡(white balance)等多个颜色内插过程(process of colorinterpolation)以实现图像精细化或图像压缩。与前侧照明式CIS(front-sideillumination CIS，FSICIS)相比，背侧照明式CIS(back-side illumination CIS，BSICIS)使得入射光能够从衬底的背侧(即，与内连线结构相对的侧)穿透。如此一来，由于BSICIS的内连线结构对入射辐射的反射较少，BSICIS会捕获到比FSICIS多的图像信号的光子。因此，图像传感器操作得到改善。

发明内容

本发明一些实施例的制作图像传感器的方法包括：在衬底中植入第一掺杂剂；移除所述衬底的一部分以界定突出部，其中所述移除所述衬底的所述一部分界定环绕所述突出部的第一表面；在所述突出部之上形成导电特征；以及在所述突出部中植入第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂相同的导电类型。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

图1B至图1D是根据一个或多个实施例的像素区域的俯视图。

图2是根据一个或多个实施例的制作像素的方法的流程图。

图3A至图3F是根据一个或多个实施例的像素区域在各种制造阶段处的剖视图。

图4是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

图5是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

图6是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

图7是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

图8是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

图9是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

图10是根据一个或多个实施例的像素区域的剖视图。

具体实施方式