[发明专利]一种有机发光二极管在审
申请号: | 201711214866.2 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107785497A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 罗艳 | 申请(专利权)人: | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 胡川 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种有机发光二极管。
背景技术
现行多数有机发光二极管一般由阴极层、发光层、阳极层和玻璃层依次层叠组成,电子和空穴分别从阴极和阳极注入,在发光层形成激子并激发发光层材料发光。在这一模式中,由于折射率的固有属性,部分光从发光层入射至阳极层后,在阳极层发生折射,使得阳极层光的折射角大于入射角,由于阳极层的折射角等于玻璃层的入射角,使得玻璃层的入射角大于阳极层的入射角,甚至大于或等于玻璃层的临界角度,从而使得部分光在玻璃层和空气层之间发生了全反射,导致出光的效率较低。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管,能够提高出光效率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种有机发光二极管,包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、感光树脂层、有机层、阳极层和玻璃面板,所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率,所述有机层包括呈矩阵分布在所述感光树脂层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层,所述发光层的表面向下凹陷形成曲面,所述阳极层具有多个贯通的通孔,所述通孔的位置与所述发光层的位置对应,所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。
优选的,所述通孔的形状为圆锥台形,且所述通孔下方的开口直径大于上方的开口直径。
优选的,所述应力缓冲层的材料为GaInAs。
优选的,所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。
优选的,所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。
优选的,所述氮化镓铝层中铝的组分为20-25%。
优选的,所述隔离层的截面形状为等腰梯形。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明中的阳极层具有贯通的通孔以使得由发光层所出射的部分光得以通过通孔直接入射至玻璃面板,以降低阳极层与玻璃面板接触面的全反射现象,并且在发光层的至少一个氮化镓层中插入应力缓冲层,以增强量子阱的张应力作用,使得发光效率明显提升,从而能够提高出光效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的有机发光二极管的结构示意图。
图2是图1所示的有机发光二极管的阳极层的俯视示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参阅图1,是本发明实施例提供的有机发光二极管的结构示意图。本实施例的有机发光二极管包括依次层叠的碳化硅衬底10、氮化铝缓冲层20、阴极层30、感光树脂层40、有机层50、阳极层60和玻璃面板70。
阳极层60的折射率大于玻璃面板70的折射率。有机层50包括呈矩阵分布在感光树脂层40上的隔离层51以及设置在多个隔离层51之间的发光层52,隔离层51的截面形状优选为等腰梯形,发光层52的表面向下凹陷形成曲面,曲面可以增加出射光角度范围。阳极层60具有多个贯通的通孔61,通孔61的位置与发光层52的位置对应,也就是说,每一发光层52的正上方都有一个通孔61。如图2所示,通孔61的形状为圆锥台形,且通孔61下方的开口直径大于上方的开口直径,通孔61的开孔形状例如为圆形,通孔61的直径优选为20mm。
在本实施例中,电子从阴极层30注入,空穴从阳极层60注入,在发光层52形成激子并激发发光层52的材料发光,从发光层52激发的光穿过阳极层60,再从玻璃面板70出射。由于阳极层60具有通孔61,可以使得由该发光层52所出射的光大部分得以通过通孔61直接入射至玻璃面板70,因而可以降低阳极层60与玻璃面板70接触面的全反射现象。
本实施例中的阴极层30可以采用氮化物材料制成,而阳极层60采用透明电极材料(例如为氧化铟锡)制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择