[发明专利]一种有机发光二极管在审
申请号: | 201711214866.2 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107785497A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 罗艳 | 申请(专利权)人: | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 胡川 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 | ||
1.一种有机发光二极管,其特征在于,包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、感光树脂层、有机层、阳极层和玻璃面板,所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率,所述有机层包括呈矩阵分布在所述感光树脂层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层,所述发光层的表面向下凹陷形成曲面,所述阳极层具有多个贯通的通孔,所述通孔的位置与所述发光层的位置对应,所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述通孔的形状为圆锥台形,且所述通孔下方的开口直径大于上方的开口直径。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述应力缓冲层的材料为GaInAs。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。
5.根据权利要求3或4所述的有机发光二极管,其特征在于,所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述氮化镓铝层中铝的组分为20-25%。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述隔离层的截面形状为等腰梯形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择