[发明专利]一种LED封装方法

权利要求书

1.一种LED封装方法，其特征在于，包括，

步骤1、准备基板(21)；

步骤2、将LED芯片固定在所述基板(21)上；

步骤3、在所述LED芯片的上表面设置第一封装层(22)；所述第一封装层（22）上形成有多个半球形凹槽；

步骤4、在所述第一封装层(22)上形成多个球形透镜(23)；所述球形透镜(23)形成于所述半球形凹槽内；

步骤5、在所述球形透镜(23)和所述第一封装层(22)上方设置第二封装层(24)，且所述第二封装层(24)含有黄色荧光粉；

步骤6、将设置有所述第一封装层(22)、多个所述球形透镜(23)和所述第二封装层(24)的所述LED芯片进行长烤，以完成所述LED的封装；

所述球形透镜(23)的直径为10-200微米，多个所述球形透镜(23)均匀间隔排列，且间距为10-200微米；所述球形透镜(23)呈矩形均匀排列，或者呈菱形排列；

所述第一封装层(22)的折射率小于所述第二封装层(24)的折射率，且所述球形透镜(23)的折射率大于所述第二封装层(24)的折射率；

所述球形透镜(23) 的焦距f=R/(2(n2-n1))，其中，n2是球形透镜(23)的折射率，n1取第一封装层(22)和第二封装层(24)的折射率的均值，R是球形透镜(23)的半径；所述第二封装层(24)高出球形透镜(23)顶面的距离不大于R/（n2-n1）。

2.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，步骤3包括：

步骤31、在所述LED芯片上表面涂敷第一硅胶层；

步骤32、采用第一半球形模具在所述第一硅胶层上形成半球形凹槽；

步骤33、对所述第一硅胶层进行第一初烤后，去除所述第一半球形模具，以形成所述第一封装层(22)，第一初烤温度为90-125℃，时间为15-60分钟。

3.根据权利要求2所述的LED封装方法，其特征在于，步骤4包括：

步骤41、利用上半球模具和下半球模具制备多个硅胶球，所述硅胶球含有黄色荧光粉；

步骤42、去除所述下半球模具，将所述硅胶球置于所述半球形凹槽内；

步骤43、对所述硅胶球进行第二初烤、去除所述上半球模具，以形成所述球形透镜(23)，第二初烤温度为90-125℃，时间为15-60分钟。

4.根据权利要求3所述的LED封装方法，其特征在于，步骤5包括：

步骤51、在所述球形透镜(23)上方涂敷第二硅胶层；

步骤52、利用第二半球形模具使所述第二硅胶层的上表面形成弧形；

步骤53、对所述第二硅胶层进行第三初烤、脱模和打磨，以形成第二封装层(24)，第三初烤温度为90-125℃，时间为15-60分钟。

5.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，步骤4之前还包括：

步骤34、分别配置用于制造所述球形透镜(23)和所述第二封装层(24)的含有黄色荧光粉的硅胶材料，使得光线透过所述球形透镜(23)和所述第二封装层(24)后，发出的荧光的波长范围为570nm-620nm。

6.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，步骤1包括：

步骤11、选用铝材作为基板(21)，且所述基板(21)的厚度大于0.5毫米、小于10毫米；

步骤12、将所述基板(21)进行清洗；

步骤13、将所述基板(21)烘干。

7.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，步骤2包括：

步骤21、准备所述LED芯片，所述LED芯片为氮化镓基蓝光芯片；

步骤22、在所述LED芯片上设置阳极电极引线和阴极电极引线；

步骤23、将所述阳极电极引线和所述阴极电极引线焊接在所述基板(21)上。