[发明专利]TFT基板在审

专利信息
申请号: 201711209138.2 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN107797354A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 甘启明 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G09G3/36
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: tft 基板
【权利要求书】:

1.一种TFT基板,其特征在于,包括:沿竖直方向依次排列的第一显示区(1)和第二显示区(2);

所述第一显示区(1)和第二显示区(2)均包括:阵列排布的多个子像素(10)、多条平行间隔排列的水平的扫描线(20)、以及多条阵列基板公共电极线(30);

每一行子像素(10)对应一条扫描线(20),每一个子像素(10)均包括:分别位于该子像素(10)对应的扫描线(20)两侧的主区像素电极(11)和次区像素电极(12);所述多条阵列基板公共电极线(30)与所述多条扫描线(20)均位于第一金属层,并交替间隔排列;

所述第一显示区(1)中的主区像素电极(11)和次区像素电极(12)分别与第二显示区(2)中的主区像素电极(11)和次区像素电极(12)关于所述第一显示区(1)和第二显示区(20)的水平分界线镜像对称;

所述第一显示区(1)的扫描方向为从该第一显示区(1)内的一子像素(10)的次区像素电极(12)所在的一侧往该子像素(10)的主区像素电极(11)所在的一侧扫描,所述第二显示区(2)的扫描方向与第一显示区(1)的扫描方向相反。

2.如权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述第一显示区(1)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第二显示区(2)的一侧,所述第一显示区(1)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第二显示区(2)的一侧,所述第一显示区(1)的扫描方向为从靠近所述第二显示区(2)的一侧往远离所述第二显示区(2)的一侧扫描;

所述第二显示区(2)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第一显示区(1)的一侧,所述第二显示区(2)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第一显示区(1)的一侧,所述第二显示区(2)的扫描方向为从靠近所述第一显示区(1)的一侧往远离所述第一显示区(1)的一侧扫描。

3.如权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述第一显示区(1)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第二显示区(2)的一侧,所述第一显示区(1)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第二显示区(2)的一侧,所述第一显示区(1)的扫描方向为从远离所述第二显示区(2)的一侧往靠近所述第二显示区(2)的一侧扫描;

所述第二显示区(2)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第一显示区(1)的一侧,所述第二显示区(2)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第一显示区(1)的一侧,所述第二显示区(2)的扫描方向为从远离所述第一显示区(1)的一侧往靠近所述第一显示区(1)的一侧扫描。

4.如权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述第一显示区(1)和第二显示区(2)均还包括:多条平行间隔排列的竖直的数据线(40),每一条数据线(40)对应一列子像素(10)。

5.如权利要求4所述的TFT基板,其特征在于,每一个子像素(10)均还包括:主区薄膜晶体管(T1)、次区薄膜晶体管(T2)、及电荷共享薄膜晶体管(T3);

所述主区薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接该子像素(10)对应的扫描线(20),源极电性连接该子像素(10)对应的数据线(40),漏极电性连接主区像素电极(11);所述次区薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接该子像素(10)对应的扫描线(20),源极电性连接该子像素(10)对应的数据线(40),漏极电性连接次区像素电极(12);所述电荷共享薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接该子像素(10)对应的扫描线(20),源极电性连接次区像素电极(12),漏极电性连接该子像素(10)的次区像素电极(12)所在侧的阵列基板公共电极线(30);

所述主区像素电极(11)与该主区像素电极(11)所在侧的阵列基板公共电极线(30)交叠的部分形成有主区存储电容(C1),所述次区像素电极(12)与该次区像素电极(12)所在侧的阵列基板公共电极线(30)交叠的部分形成有次区存储电容(C2)。

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