[发明专利]存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法有效

专利信息
申请号: 201711207662.6 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN108206041B 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 韩一洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/30
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘培培;黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 读取 操作方法 控制器 存储系统
【说明书】:

一种存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法,所述方法包含:通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息从多个防御代码中选择至少一个第一选择防御代码,所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值;基于所述第一选择防御代码确定用于执行读取操作的读取电压的水平;以及通过使用具有所述确定的水平的读取电压执行读取操作。通过执行选择防御代码,可确定读取电压的最佳水平或期望水平。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年12月19日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0173623号韩国专利申请的权益,所述申请的公开全部以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明概念的至少一些示例性实施例涉及一种非易失性存储器的读取操作方法,并且更具体地说涉及一种包含非易失性存储器的存储系统和一种存储系统的操作方法。

背景技术

防御代码用于在非易失性存储器的读取操作期间,根据非易失性存储器单元的阈值电压分布的变化,确定读取电压的最佳水平或(替代地)期望水平。然而,由于通过使用给定顺序的所有多个防御代码来确定读取电压的最佳水平或(替代地)期望水平,所以会花费很长时间,并且会降低包含非易失性存储器的存储系统的性能。

发明内容

根据本发明概念的至少一些示例性实施例,一种非易失性存储器的读取操作方法包含:通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息,从多个防御代码中选择至少一个第一选择防御代码,所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值;基于第一选择防御代码,确定用于执行读取操作的读取电压的水平;以及通过使用具有确定的水平的读取电压,执行读取操作。

根据本发明概念的至少一些示例性实施例,一种包括存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器的存储系统的操作方法包含:响应于从存储器控制器外部接收的读取请求,由存储器控制器从存储器装置收集包括分别对应于多个因素的值的读取环境信息;由存储器控制器通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息,从多个防御代码中选择至少一个选择防御代码;由所述存储器控制器通过基于至少一个选择防御代码,控制存储器装置而确定读取电压水平;以及由存储器控制器基于读取电压水平确定操作的结果,控制存储器装置上的读取操作,其中所述控制是由存储器控制器执行的。

根据本发明概念的至少一些示例性实施例,一种用于控制存储器装置上的存储操作的存储器控制器包含:存储器,其被配置成存储与防御代码选择有关的程序和读取电压水平确定信息;以及处理器,其连接到所述存储器并且配置成响应于从处理器外部接收的读取请求,执行存储于存储器中的程序,以便通过使用读取电压水平确定信息和从存储器装置收集的包括分别对应于多个因素的值的读取环境信息,从多个防御代码中选择至少一个选择防御代码。

根据本发明概念的至少一些示例性实施例,一种操作存储器控制器的方法包含:在存储器控制器处,基于与存储器装置相关联的一个或多个因素,从多个防御代码中选择一个防御代码以作为所选择的防御代码,所述多个防御代码分别对应于多个读取电压水平确定操作;通过执行对应于所选择的防御代码的读取电压水平确定操作来确定读取电压水平;以及使用具有确定的读取电压水平的读取电压,在存储器装置的多个存储器单元上执行读取操作。

附图说明

通过参看附图详细地描述本发明概念的示例性实施例,本发明概念的示例性实施例的以上和其它特征和优势将变得更显而易见。随附图式意在描绘本发明概念的示例性实施例,且不应将其解释为限制权利要求书的所希望的范围。不应将随附图式视为按比例绘制,除非明确地提到。

图1是根据本发明概念的至少一个示例性实施例的存储系统的框图;

图2是根据本发明概念的至少一个示例性实施例的存储器控制器的框图;

图3是根据本发明概念的至少一个示例性实施例的存储器装置的框图;

图4是根据本发明概念的至少一个示例性实施例的存储器装置中包含的存储器单元阵列的框图;

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