[发明专利]存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法有效
申请号: | 201711207662.6 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108206041B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 韩一洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/30 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 读取 操作方法 控制器 存储系统 | ||
1.一种非易失性存储器的读取操作方法,所述读取操作方法包括:
通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息,从多个防御代码中选择至少一个第一选择防御代码,所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值;
通过执行所述第一选择防御代码,确定用于执行读取操作的读取电压水平;以及
通过使用具有所述确定的水平的读取电压,执行所述读取操作,
其中所述多个防御代码的每一者是为了确定存储器单元阵列中包含的存储器单元的读取电压的最佳水平或期望水平的代码,以及
其中所述读取电压水平确定信息包含关于根据所述读取环境信息中包含的所述多个因素的每个值映射的至少一个防御代码的信息。
2.根据权利要求1所述的读取操作方法,其进一步包括:
通过执行训练操作,生成所述读取电压水平确定信息。
3.根据权利要求2所述的读取操作方法,其中,
所述训练操作包含多个循环操作,并且
所述多个循环操作中的每个操作包括:
调节分别对应于所述多个因素的所述值;
基于分别对应于所述多个因素的所述经过调节的值,从所述多个防御代码中选择至少一个防御代码;
基于所述至少一个防御代码,确定所述读取电压的第一水平;
通过使用具有确定的第一水平的所述读取电压,执行所述读取操作并且判断所述读取操作是否成功;以及
通过使用所述判断所述读取操作是否成功的结果,积累所述读取电压水平确定信息。
4.根据权利要求1所述的读取操作方法,其中,
所述读取电压水平确定信息包含防御代码选择规则,并且
所述从所述多个防御代码中选择所述第一选择防御代码包括:
基于所述防御代码选择规则,向分别对应于所述多个因素的所述值分配权重;以及
基于所述权重的分配结果,从所述多个防御代码中选择所述第一选择防御代码。
5.根据权利要求1所述的读取操作方法,其中,
所述读取电压水平确定信息包含防御代码映射信息,所述防御代码映射信息指示根据分别对应于所述多个因素的所述值映射到多个读取条件中的每个读取条件的至少一个防御代码,并且
所述从所述多个防御代码中选择所述第一选择防御代码包括:
从所述多个读取条件中检测对应于所述读取环境信息的读取条件;以及
选择被映射到所述检测到的读取条件的所述至少一个防御代码以作为所述第一选择防御代码。
6.根据权利要求5所述的读取操作方法,其中所述多个读取条件中的每个读取条件包含所述多个因素中的超出对应于所述多个因素中每个因素的阈值的至少一个因素,以及关于超出所述阈值的所述至少一个因素的数量的信息。
7.根据权利要求1所述的读取操作方法,其中所述多个因素包含存储器装置的温度、被编程到所述存储器装置的数据的保留时间、所述存储器装置的编程/擦除循环、根据所述存储器装置的操作的时戳、以及根据所述存储器装置上的读取操作的断开单元数目中的至少一个因素。
8.根据权利要求1所述的读取操作方法,其进一步包括:
通过使用确定所述读取电压的水平的操作的结果,更新所述读取电压水平确定信息。
9.根据权利要求8所述的读取操作方法,其进一步包括:
当所述确定所述读取电压的水平的操作失败时,
通过使用所述读取环境信息和所述读取电压水平确定信息,从所述多个防御代码中选择新的第一选择防御代码;以及
基于所述新的第一选择防御代码,重新确定所述读取电压的水平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711207662.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种上电复位电路
- 下一篇:ROM存储器的字线绑缚方法及ROM存储器