[发明专利]一种N型晶硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括：

S1：将N型硅片的正面进行碱式制绒和织构化处理；

S2：将步骤S1处理后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼扩散层；

S3：在N型硅片的背面刻蚀并沉积一层背面钝化减反射层；

S4：在硼扩散后的N型硅片正面沉积一层钝化层，在所述钝化层上沉积一层正面钝化减反射层；

S5：在所述N型硅片背面激光开槽并蒸镀背面金属叠层；

S6：在所述N型硅片正面电镀正面金属叠层，即得所述N型晶硅电池。

2.根据权利要求1所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中正面硼扩散，采用BBr₃液态源扩散，扩散方阻为50-70Ω/□，扩散温度为950℃-1000℃，扩散时间为90-100min。

3.根据权利要求1所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于，步骤S3中采用PECVD或PVD法制作背面钝化减反射层，步骤S4中采用ALD法制作钝化层，采用PECVD或PVD法制作正面钝化减反射层。

4.根据权利要求1所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述背面钝化减反射层的厚度为60-120nm，步骤S4中所述钝化层的厚度为5-20nm，所述正面钝化减反射层的厚度为60-120nm。

5.根据权利要求1所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述背面钝化减反射层为SiNx层、SiO₂层或SiNx/SiO₂复合层，步骤S4中所述钝化层为氧化铝钝化层或氧化硅钝化层，所述正面钝化减反射层为SiNx层、SiO₂层或SiNx/SiO₂复合层。

6.根据权利要求1所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于，步骤S5中所述背面金属叠层为双层金属叠层，步骤S6中所述正面金属叠层为三层金属叠层。

7.根据权利要求1所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于，步骤S5中在所述激光开槽处蒸镀的所述背面金属叠层穿过所述背面钝化减反射层与所述N型硅片形成欧姆接触。

8.根据权利要求1所述的N型晶硅电池，其特征在于，步骤S6中在所述N型硅片正面电镀的所述正面金属叠层依次穿过所述正面钝化减反射层和所述钝化层并与所述N型硅片形成欧姆接触。