[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

一种半导体装置的形成方法，包括：在基板上形成源极/漏极区；在源极/漏极区上形成第一层间介电层；在第一层间介电层中形成第一导电区；选择性地去除第一导电区的部分以形成第一导电区的凹顶表面；在第一层间介电层上形成第二层间介电层；以及在第二层间介电层中及凹顶表面(concave top surface)上形成第二导电区。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且具体涉及有凹区接点界面的半导体装置的形成方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能及更低的成本的需求日益增加。为了满足这些需求，半导体工业持续缩小半导体装置(如金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors，MOSFET)，其包括平面金属氧化物半导体场效晶体管及鳍式场效晶体管(fin field effecttransistor transistors，FinFETs))的尺寸。这种微缩化增加了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

一种半导体装置的形成方法，包括：在基板上形成源极/漏极区；在源极/漏极区上形成第一层间介电层；在第一层间介电层中形成第一导电区；选择性地去除第一导电区的部分以形成第一导电区的凹顶表面；在第一层间介电层上形成第二层间介电层；以及在第二层间介电层中及凹顶表面(concave top surface)上形成第二导电区。

一种半导体装置的形成方法，包括：在基板上形成源极/漏极区；在源极/漏极区上形成第一导电区及第二导电区；在第一导电区及第二导电区间形成凹曲界面(concavelycurved interface)；以及在第二导电区的侧壁上形成绝缘间隔物。

一种半导体装置，包括：鳍结构，位于基板上；外延源极/漏极区，位于鳍结构上；以及源极/漏极接点结构，包括：第一导电区，在源极/漏极区上；第二导电区，在第一导电区上；以及凹曲界面，在第一导电区及第二导电区间。

附图说明

以下将配合所附附图详述本公开的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。

图1是根据一些实施例示出的鳍式场效晶体管的等角视图。

图2-图3是根据一些实施例示出的鳍式场效晶体管的剖面图。

图4-图9是根据一些实施例示出的鳍式场效晶体管在其制造过程各个阶段的等角视图。

图10-图19是根据一些实施例示出的鳍式场效晶体管在其制造过程各个阶段的剖面图。

图20是根据一些实施例示出的制造鳍式场效晶体管方法的流程图。

现在将参照附图描述示例性实施例。在附图中，相同的标号通常表示相同的、功能上相似的和/或结构上相似的元件。

附图标记说明：

102～基板；

102c～表面；

102s～顶表面；

104～鳍结构；

106～源极/漏极区；

108～栅极结构；

110～间隔物；

110*～未图案化间隔物；

110a～间隔物部分；

110b～间隔物部分；

110c～间隔物部分；