[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供基板处理装置及方法，以低成本抑制基板的所希望的处理量与实际的处理量的差异和在各部分的处理量的偏差。装置具有：旋转保持部，保持基板并使其旋转；第一供给源，供给第一温度的第一纯水；第二供给源，供给比第一温度高的第二温度的第二纯水；配管系统，将第一纯水分配为一方第一纯水和另一方第一纯水并引导；处理液供给部，将混合一方第一纯水和药液的处理液供至基板的上表面中央区；第一供给部，将主要包含另一方第一纯水的第一液体供至下表面中央区；第二供给部，将主要包含第二纯水的第二液体分别供至下表面周边区与中间区；热量控制部，独立控制第一供给部供给的热量和第二供给部供给的热量，以便变更基板的径向的温度分布。

本申请是申请日为2015年7月2日、申请号为201510382246.4、发明名称为“基板处理装置以及基板处理方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一边使基板旋转一边向基板供给处理液来对基板进行处理的基板处理技术。

背景技术

作为这样的基板处理技术，在专利文献1公开了一种基板处理装置，该基板处理装置将温度预先被控制的流体向基板下表面的中心部和周边部之间的多个部位供给，并且，向基板上表面喷射处理液来对基板进行处理。该装置具有对从基板的下方的多个部位分别供给的各流体的温度进行控制的各温度控制部。并且，各流体的温度被各温度控制部控制为，随着向基板供给的位置从基板的中心部接近周边部，温度变高。由此，该装置能够抑制由基板的中心部和周边部的周速度之差引起的基板的温度差，使利用处理液进行的基板处理均匀化。

另外，在专利文献2中公开了一种基板处理装置，该基板处理装置具有：上喷嘴，位于在水平面内旋转的圆形基板的上方，并在基板的中央区和周边区之间扫描；棒状的下喷嘴，从基板的中央区的下方向周边区的下方延伸设置。上喷嘴具有能够将希氢氟酸等药液向基板的上表面喷出的喷嘴、能够将纯水、或纯水和非活性气体的混合流体等的冲洗液向基板的上表面喷出的喷嘴。下喷嘴具有与基板的下表面相向并能够将冲洗液向基板的下表面喷出的多个喷出口。该装置首先从上下两个喷嘴将药液向基板喷出，利用药液进行处理(药液处理)，接着，从两个喷嘴喷出冲洗液，进行冲洗处理，在冲洗处理后，进行干燥处理，即，通过使基板高速旋转，甩掉在基板上附着的液体，以使基板干燥。

在基板的下方，形成有横穿下喷嘴并沿着基板的旋转方向流动的气流。与基板的径向垂直的平面中的下喷嘴的剖面形状为翼型。更详细地说，下喷嘴的下表面是在基板的径向上延伸的水平面。下喷嘴还具有：水平的上表面，与下表面平行地延伸设置，宽度比下表面窄；上游侧连接面，使上表面和下表面各自的在宽度方向上的气流的上游侧的端部彼此连接；下游侧连接面，使气流的下游侧的端部彼此连接。上游侧连接面的宽度比下游侧连接面的宽度充分宽，并且，上游侧连接面的梯度也平缓。上游侧连接面向下喷嘴的内侧凹陷而弯曲，下游侧连接面向下喷嘴的外侧突出而弯曲。通过基板的旋转产生的气流当与下喷嘴碰撞时，被整流为沿着上游侧连接面流向基板下表面。此时，通过节流效应，流速也增加。在药液处理、冲洗处理中从下喷嘴喷出到基板的下表面的药液和冲洗液借助该气流沿着基板的下表面顺利地扩散。

专利文献1：日本特许第5123122号公报

专利文献2：日本特开2012-151439号公报

在这样的基板处理装置中，通常，即使基板温度(处理温度)例如变化0.1℃～0.2℃左右，基板的厚度方向的处理量(例如蚀刻量等)也变动得大。在专利文献1的基板处理装置存在如下问题，即，基板温度因向基板上表面喷射的处理液和向基板的下表面供给的流体之间的温度差而发生变动，难以实现所希望的处理量。另外，在这样的基板处理装置中，因在基板上形成的膜质的不同和处理液供给位置的扫描的有无，如果不使基板的径向的温度分布为不均匀的分布，有时处理液的蚀刻量等的处理量就不会变得均匀。但是，专利文献1的基板处理装置还存在如下问题，由于进行抑制基板的中心部和周边部的温度差的温度控制，所以有时因基板的处理条件的不同而难以使基板处理均匀化。进而，专利文献1的基板处理装置还存在如下问题，即，温度控制部的个数增加导致装置的制造成本增大，并且使温度控制复杂化。