[发明专利]一种高灵敏探测TNP的晶体材料[WS4Cu4(CN)2(TPP)]的制备方法

权利要求书

1.一种高灵敏探测TNP的晶体材料[WS₄Cu₄(CN)₂(TPP)]的制备方法，包括以下步骤：

1.1将四硫代钨酸铵、硫氰酸铵、氰化亚铜与4-(吡啶-4-基)亚甲基氨基-1,2,4-三氮唑以一定比例加入到乙腈与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶剂中，搅拌得到均匀悬浊液；

1.2将1.1中搅拌均匀的悬浊液转入反应釜中，密闭加热至一定温度保持数天，然后缓慢降至室温，抽滤、洗涤并干燥后得到晶体材料[WS₄Cu₄(CN)₂(TPP)]。

2.根据权利要求1所述的一种高灵敏探测TNP的晶体材料[WS₄Cu₄(CN)₂(TPP)]的制备方法中，其特征在于四硫代钨酸铵、硫氰酸铵、氰化亚铜和4-(吡啶-4-基)亚甲基氨基-1,2,4-三氮唑的摩尔比为1:3～4:3～4:2～4。

3.根据权利要求1所述的一种高灵敏探测TNP的晶体材料[WS₄Cu₄(CN)₂(TPP)]的制备方法中，乙腈与N,N-二甲基甲酰胺的体积比为1:2～4。

4.根据权利要求1所述的一种高灵敏探测TNP的晶体材料[WS₄Cu₄(CN)₂(TPP)]的制备方法中，加热反应温度为80～95度。

5.根据权利要求1所述的一种高灵敏探测TNP的晶体材料[WS₄Cu₄(CN)₂(TPP)]的制备方法中，加热反应时间为2～5天。

6.根据权利要求1所述的一种高灵敏探测TNP的晶体材料[WS₄Cu₄(CN)₂(TPP)]的制备方法中，反应降温速率为1～5度每小时。