[发明专利]一种高电阻温度系数氧化镍铬热敏薄膜制备方法

权利要求书

1.一种高电阻温度系数氧化镍铬薄膜制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：单晶硅衬底表面去污清洗；

步骤2：在单晶硅表面沉积或溅射一层绝缘层；

步骤3：上述材料装入磁控溅射装置真空室内，在绝缘层上溅射一层氧化镍铬薄膜；

步骤4：对沉积的薄膜样品进行后退火处理。

2.根据权利要求1所述的高电阻温度系数氧化镍铬薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中所述绝缘层为氮化硅(Si3N4)薄膜。

3.根据权利要求2所述的高电阻温度系数氧化镍铬薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中所述在单晶硅表面沉积或溅射氮化硅薄膜，无特定限制厚度。

4.根据权利要求1所述的高电阻温度系数氧化镍铬薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中所述在氮化硅(Si3N4)薄膜上沉积一层氧化镍铬薄膜，采用直流磁控溅射法，具体工艺条件为：采用镍铬合金靶，初始真空度:5×10-5Pa，溅射功率200W，氧气与氩气气体流量比为1:72，溅射总气压保持在5Pa，薄膜衬底温度200℃，溅射时间20min。

5.根据权利要求1所述的高电阻温度系数氧化镍铬薄膜制备方法，其特征在于，步骤4中所述对沉积的薄膜样品进行退火处理，退火工艺条件为：退火为氩气氛围，退火温度300℃，退火时间60min，退火结束后在氩气氛围下冷却至室温。