[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及阵列基板制造技术领域，特别是涉及阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor)是指阵列基板，由其制作而成的液晶显示器被称为TFT LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)，TFT LCD是目前显示行业内比较主流的显示器件之一，它的特点是每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的TFT阵列基板来驱动，由于是直接的驱动，所以TFT LCD可以做到比较高的反应速度、亮度以及对比度，是目前最好的LCD彩色显示设备之一。

传统的A-Si(非晶硅)TFT工艺流程一般是要经过栅极层、有源层、源/漏极层、保护层以及像素层5道工序的制备，采用上述传统工艺制备的A-Si TFT工序较多，成本居高不下，导致TFT LCD的价格较高。

发明内容

基于此，有必要提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

一种阵列基板，包括：

基板；

形成于所述基板上的栅极；

形成于所述栅极上的绝缘层；

形成于所述绝缘层上的有源层，其中，所述有源层为铟镓锌氧化物；

形成于所述有源层上的复合金属层，所述复合金属层包括与所述有源层连接的氧化铟锡膜层以及与所述氧化铟锡膜层连接的金属膜层，其中，所述金属膜层于显示区内开设有通口，所述氧化铟锡膜层与所述显示区对应的部分为像素层。

在其中一个实施例中，还包括保护层，所述保护层形成于所述复合金属层上。

在其中一个实施例中，所述金属膜层为银膜层。

在其中一个实施例中，所述绝缘层开设有通孔。

一种显示面板，包括上述任一实施例中所述的阵列基板。

一种阵列基板的制备方法，包括：

在基板上形成栅极；

在所述栅极上形成绝缘层；

在所述绝缘层上制备铟镓锌氧化物的有源层；

对所述有源层进行刻蚀；

在所述有源层上制备复合金属层，所述复合金属层包括氧化铟锡膜层和金属膜层，所述氧化铟锡层与所述有源层连接，所述金属膜层与所述氧化铟锡层连接；

将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉，将所述显示区外的所述复合金属层设置为源/漏极，将所述显示区内对应的部分所述氧化铟锡膜层设置为像素层。

在其中一个实施例中，所述对所述有源层进行刻蚀步骤为：

对所述有源层进行曝光、显影和刻蚀，将所述显示区内的部分所述有源层刻蚀掉。

在其中一个实施例中，所述将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉的步骤为：

对所述显示区对应的部分所述金属膜层曝光、显影和刻蚀，将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉。

在其中一个实施例中，在所述将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉的步骤之后还包括：

在所述复合金属层上制备保护层。

在其中一个实施例中，所述金属膜层为银膜层。

上述阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，一方面，以铟镓锌氧化物制备有源层，使得有源层与含有氧化铟锡膜层的源/漏极更好地接触，有效减小了接触势垒，使得阵列基板的电子迁移率得到提高；另一方面，将复合金属层中的氧化铟锡膜层作为像素层，能够减少工序，进而有效提高生产效率，降低生产成本。

附图说明

图1为一个实施例的阵列基板的局部剖面结构示意图；

图2A为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2B为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2C为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2D为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2E为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2F为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图3为一个实施例的阵列基板的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。