[发明专利]HDP工艺成膜方法

权利要求书

1.一种HDP工艺成膜方法，其特征在于：HDP工艺同时包括介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺，在采用所述HDP工艺进行成膜的过程中，采用如下步骤对所述HDP工艺进行设置：

将所述HDP工艺的介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺分布拆分为多个，每一个所述介质层淀积工艺和一个对应的所述介质层刻蚀工艺组成一组，通过多组所述介质层淀积工艺和所述介质层刻蚀工艺组成所述HDP工艺；

每一组的所述介质层淀积工艺的参数根据薄膜层的当前形貌进行设置，在满足在当前薄膜层的形貌上进行成膜的基础上增加对应组的所述介质层淀积工艺的淀积速率；

每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数根据薄膜层的当前形貌进行设置，每一组的所述介质层刻蚀工艺完成后要求保证下一组的所述介质层淀积工艺能进行正常的淀积。

2.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数在满足对当前薄膜层的形貌进行刻蚀后能实现下一组的所述介质层淀积工艺能进行正常的淀积的条件下，减少对应组的所述介质层刻蚀工艺的刻蚀量，以提高成膜速率。

3.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：所述HDP工艺成膜对应的所述薄膜层为层间膜，在所述层间膜的成膜前的半导体衬底形貌上具有沟槽，所述层间膜要求对所述沟槽进行填充；

或者，所述HDP工艺成膜对应的所述薄膜层为浅沟槽隔离氧化层，在所述浅沟槽隔离氧化层的成膜前的所述半导体衬底形貌上具有沟槽，所述浅沟槽隔离氧化层要求对所述沟槽进行填充。

4.如权利要求3所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：在采用所述HDP工艺进行所述薄膜层的成膜过程中，每一组的所述介质层淀积工艺的参数调整所对应的薄膜层的形貌为位于所述沟槽的侧面上的所述薄膜层的形貌；

每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数调整所对应的薄膜层的形貌为位于所述沟槽的侧面上的所述薄膜层的形貌。

5.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：各组的所述介质层淀积工艺的参数各自设定，各组的所述介质层刻蚀工艺的参数各自设定。

6.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：对所述HDP工艺的相邻的两组以上的所述介质层淀积工艺的参数都设定为相同，对应的组的所述介质层刻蚀工艺的参数也都设定为相同，由各具有相同的所述介质层淀积工艺的参数和所述介质层刻蚀工艺的参数的各组组成对应的大组，由各大组组成所述HDP工艺。

7.如权利要求1或3所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：在所述HDP工艺对应的第一组的所述介质层淀积工艺之前还包括形成衬垫层的步骤。

8.如权利要求1或3所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：所述衬垫层为氧化层。

9.如权利要求8所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：所述衬垫层采用热氧化工艺形成。

10.如权利要求1或3所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：在所述HDP工艺对应的最后一组的所述介质层淀积工艺之后还包括形成覆盖层的步骤。

11.如权利要求10所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：所述覆盖层为氧化层。

12.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：所述介质层淀积工艺的参数包括高频射频的功率，低频射频的功率，硅烷的流量，工艺时间；所述高频射频的功率的调节范围为1500W～3500W，所述低频射频的功率的调节范围为2000W～5000W。