[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201711173002.0 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109817515A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 章国伟;王孝娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉;毛立群 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜层 半导体器件 图形化光刻胶 表面反射率 基底表面 氧化铜 基底 减小 制造 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底的表面形成有铜层；
对所述铜层的表面进行处理，以在所述铜层的表面形成氧化铜；
在所述氧化铜上形成图形化光刻光层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述处理为在含氧气的氛围中进行氧化。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述处理为：在含氧气的炉内进行热氧化或者在室温下的无尘室内静置。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述热氧化的温度大于140℃。
5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述热氧化的时间大于180s。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述处理为：利用化学试剂对所述铜层进行氧化或者在含氧等离子体的氛围中进行氧化。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化铜的厚度为0.3μm至0.5μm。
8.如权利要求1至7任一项所述的形成方法，其特征在于，所述铜层用作再布线层，所述图形化光刻胶层具有露出所述氧化铜的开口；
所述方法还包括：在所述开口内形成导电凸块，然后去除所述图形化光刻胶层。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成所述导电凸块的方法为电镀。
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述导电凸块的材质为铜，所述电镀所采用的电镀液包括硫酸铜、硫酸、水和添加剂。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，将用于作为所述导电凸块的铜镀于所述铜层之上之前，还包括：
将所述基底置于所述电镀液中，并利用所述电镀液去除所述开口下方的所述氧化铜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
