[发明专利]一种提高器件均匀性的方法在审
| 申请号： | 201711172929.2 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107731662A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 黄然;周维;邓建宁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 器件 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高器件均匀性的方法，其特征在于，包括：
步骤一、通过化学气相沉积工艺在晶圆正面生长一层氧化物遮挡层；
步骤二、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的背面残留的氮化物薄层；
步骤三、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的正面的所述氧化物遮挡层。
2.根据权利要求1所述一种提高器件均匀性的方法，其特征在于，所述步骤一的所述氧化物遮挡层具有阶梯覆盖能力。
3.根据权利要求2所述一种提高器件均匀性的方法，其特征在于，所述氧化物遮挡层为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述一种提高器件均匀性的方法，其特征在于，所述氮化物薄层为四氮化三硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
