[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：先提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层、有源层、源极与漏极、栅绝缘层以及栅极；然后对正对于所述源极与所述漏极的所述有源层的相应区域进行第一导体化制程；再对位于所述源极与所述栅极之间以及所述漏极与所述栅极之间的所述有源层的相应区域进行第二导体化制程。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

氧化物半导体(oxide semiconductor)是具有半导体特性的一类氧化物，作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、有机EL面板以及电子纸等新一代显示器的TFT材料最佳候选之一。

IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,是金属氧化物(Oxied)面板技术的一种。IGZO载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。

IGZO-TFT的器件结构一般分为ESL、BCE、TG等几种类型，其中ESL、BCE结构因Gate电极和S/D电极之间存在较大覆盖面积(overlap)导致较大的寄生电容，不适合应用于高解析度的OLED面板。近几年发展起来的Top-Gate结构的IGZO可以解决寄生电容较大的问题，但目前主流的TG-IGZO TFT器件工艺比较复杂，一般需要7道左右的光罩数量来完成阵列基板工艺。

综上所述，现有技术的TG-IGZO TFT器件的制作方法，工艺比较复杂，成本较高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，能够缩减TG-IGZO TFT器件的光罩制程，从而降低成本。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层、有源层、源极与漏极、栅绝缘层以及栅极；

步骤S2、对正对于所述源极与所述漏极的所述有源层的相应区域进行第一导体化制程；

步骤S3、对位于所述源极与所述栅极之间以及所述漏极与所述栅极之间的所述有源层的相应区域进行第二导体化制程。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S1包括：在所述缓冲层上连续沉积铟镓锌氧化物层与第二金属层，通过半色调光罩使所述铟镓锌氧化物形成有源层，以及同时使所述第二金属层形成源极与漏极。

根据本发明一优选实施例，所述第一导体化制程包括对所述阵列基板进行退火制程，所述第二导体化制程包括对所述阵列基板进行镭射制程。

根据本发明一优选实施例，所述退火制程的温度为200～300摄氏度，以使所述有源层中正对于所述源极和所述漏极的相应区域实现导体化。

根据本发明一优选实施例，所述镭射制程中用波长处于300纳米～315纳米范围内的准分子镭射光照射所述阵列基板表面，使对位于所述源极与所述栅极之间以及所述漏极与所述栅极之间的所述有源层的相应区域实现导体化。

根据本发明一优选实施例，所述退火制程中，所述源极与所述漏极材料中的钛或铝掺杂于所述有源层中。

本发明还提供一种阵列基板，包括：

基板；