[发明专利]用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路

权利要求书

1.一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块，且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动的IGBT的栅极相连，其特征在于，该噪声抑制电路包括：

电压检测电路，其输入端接所述IGBT的栅极；

下拉电路，其输入端接所述电压检测电路的输出端；

RS触发器，其R端接所述下拉电路的第一输出端，S端接所述下拉电路的第二输出端，Q端接所述输出驱动模块的输入端；

第一反相器，其输入端接所述LDMOS电平移位模块的第一输出端，输出端接所述RS触发器的S端；以及

第二反相器，其输入端接所述LDMOS电平移位模块的第二输出端，输出端接所述RS触发器的R端；

其中，所述电压检测电路包括：

第二PMOS管，其源极接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动电源，栅极接所述IGBT的栅极；

第三电阻，其一端接所述第二PMOS管的漏极，另一端接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动地；

第四NMOS管，其源极接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动地，栅极接所述IGBT的栅极；

第四电阻，其一端接所述第四NMOS管的漏极，另一端接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动电源；

第三反相器，其输入端接所述第二PMOS管的漏极；和

或非门，其第一输入端接所述第三反相器的输出端，第二输入端接所述第四NMOS管的漏极，输出端接所述下拉电路的输入端。

2.根据权利要求1所述的用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其特征在于，所述LDMOS电平移位模块包括：

第一电阻，其一端接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动电源端，另一端为所述LDMOS电平移位模块的第一输出端；

第二电阻，其一端接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动电源端，另一端为所述LDMOS电平移位模块的第二输出端；

第一LDMOS管，其栅极接所述低压侧窄脉冲产生模块的输出端，源极接地，漏极接所述第一电阻的另一端；

第二LDMOS管，其栅极接所述低压侧窄脉冲产生模块的输出端，源极接地，漏极接所述第二电阻的另一端。

3.根据权利要求1所述的用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其特征在于，所述输出驱动模块包括：

第一PMOS管，其栅极接所述RS触发器的Q端，源极接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动电源端，漏极接所述输出驱动模块的输出端；以及

第一NMOS管，其栅极接所述RS触发器的Q端，源极接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动地，漏极接所述输出驱动模块的输出端。

4.根据权利要求1所述的用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其特征在于，所述下拉电路包括：

第二NMOS管，其漏极接所述RS触发器的S端，源极接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动地，栅极接所述电压检测电路的输出端；以及

第三NMOS管，其漏极接所述RS触发器的R端，源极接所述IGBT栅极驱动芯片的高端浮动地，栅极接所述电压检测电路的输出端。

5.根据权利要求1所述的用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其特征在于，所述噪声抑制电路集成在所述IGBT栅极驱动芯片内。