[发明专利]一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构

权利要求书

1.一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构，用于IC片上ESD防护器件；主要包括P衬底（101）、第一N阱（102）、P阱（103）、第二N阱（104）、第一N+注入区（105）、第一P+注入区（106）、第一P+跨桥（107）、第二P+注入区（108）、第二P+跨桥（109）、第二P+注入区（110）、第二N+注入区（111）、第一场氧隔离区（112）、第二场氧隔离区（113）、第三场氧隔离区（114）、第四场隔离区（115）、第五场氧隔离区（116）、第六场氧隔离区（117）、第七场氧隔离区（118）、第八场氧隔离区（119）、金属阳极和金属阴极；其特征在于：包括内嵌PNP结构和SCR结构；所述的内嵌PNP结构由第一P+注入区(106)、第一N阱(102)、第一P+跨桥(107)、P阱(103)和第二P+注入区(108)构成；所述的SCR结构由第一P+注入区（107）、第一N阱（102）、P阱（103）、第二N阱（104）、第二N+注入区（111）构成；所述第二P+注入区(108)始终与电极GND相连；

所述P型衬底(101)的表面区域从左到右依次设有所述第一N阱(102)、所述P阱(103)和所述第二N阱(104)；

在所述第一N阱(102)的表面区域从左到右依次设有所述第一场氧隔离区(112)、所述第一N+注入区(105)、所述第二场氧隔离区(113)、所述第一P+注入区(106)、所述第三场氧隔离区(114)和所述第一P+跨桥(107)；

所述第一场氧隔离区(112)的左侧与所述第一N阱(102)的左侧边缘相连，所述第一场氧隔离区(112)的右侧与所述第一N+注入区(105)的左侧直接相连，所述第一N+注入区(105)的右侧与所述第二场氧隔离区(113)的左侧相连，所述第二场氧隔离区(113)的右侧与所述第一P+注入区(106)的左侧相连，所述第一P+注入区(106)的右侧与所述第三场氧隔离区(114)的左侧相连，所述第三场氧隔离区(114)的右侧与所述第一P+跨桥(107)的左侧相连，所述第一P+跨桥(107)横跨在所述第一N阱(102)和所述P阱(103)之间；

在所述P阱(103)的表面区域从左到右依次设有所述第四场氧隔离区(115)、所述第二P+注入区(108)和所述第五场氧隔离区(116)；所述第四场氧隔离区(115)的左侧有所述第一P+跨桥(107)的右侧相连，所述第四场氧隔离区(115)的右侧与所述第二P+注入区(108)的左侧相连，所述第二场氧隔离区(108)的右侧与所述第五场氧隔离区(116)的左侧相连；

所述第二N阱(104)的表面区域从左到右依次设有所述第二P+跨桥(109)、所述第六场氧隔离区(117)、所述第三P+注入区(110)、所述第七场氧隔离区(118)、所述第二N+注入区(111)和所述第八场氧隔离区(119)；

所述第二P+跨桥(109)横跨在所述P阱(103)和所述第二N阱(104)之间，所述第二P+跨桥(109)的左侧与所述第五场氧隔离区(116)的右侧相连，所述第二P+跨桥(109)的右侧与所述第六场氧隔离区(117)的左侧相连，所述第六场氧隔离区(117)的右侧与所述第三P+注入区(110)的左侧相连，所述第三P+注入区(110)的右侧与所述第七场氧隔离区(118)的左侧相连，所述第七场氧隔离区(118)的右侧与所述第三N+注入区(111)的左侧相连，所述第三N+注入区(111)的右侧与所述第八场氧隔离区(119)的左侧相连，所述第八场氧隔离区(119)的右侧与所述第二N阱(104)的右侧边缘相连。

2.如权利要求1所述的一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构，其特征在于：所述的金属包括第一金属(120)、第二金属(121)、第三金属(122)、第四金属(123)、第五金属(124)。