[发明专利]基于阳极技术的DLC镀膜方法

权利要求书

1.一种基于阳极技术的DLC镀膜方法，采用DLC镀膜装置进行镀膜，其特征是，至少包括：

步骤1，采用等离子刻蚀法对基材进行清洗，具体为：

在惰性气氛下，以旋转磁控靶为阳极、旋转电弧靶为阴极进行电弧放电，产生等离子体；以基材为阴极、旋转磁控靶为阳极对基材施加偏压，对基材进行等离子刻蚀清洗；

步骤2，采用磁控溅射法在基材上沉积金属过渡层，具体为：

在惰性气氛下，以旋转磁控靶为阴极、旋转电弧靶为阳极进行磁控溅射；以旋转电弧靶为阳极、工件为阴极施加偏压，在基材上沉积金属过渡层；

步骤3，采用PaCVD法在金属过渡层上沉积DLC层，具体为：

通入碳氢类原料气体，以旋转电弧靶为阳极、工件为阴极施加偏压，采用PaCVD法在金属过渡层上沉积DLC层；

所述DLC镀膜装置包括真空腔、旋转工件架、旋转电弧靶、旋转磁控靶、进气系统、抽真空系统、加热系统和电源系统，所述真空腔接地，所述电源系统包括磁控溅射电源、电弧电源、偏压电源、第一接触器、第二接触器、第三接触器和第四接触器；其中：偏压电源的阴极连接旋转工件架上工件，通过第一接触器连接偏压电源的阳极和旋转电弧靶，通过第二接触器连接偏压电源的阳极和旋转磁控靶；磁控溅射电源的阴极连接旋转磁控靶，通过第三接触器连接磁控溅射电源的阳极和旋转电弧靶；电弧电源的阴极连接旋转电弧靶，通过第四接触器连接电弧电源的阳极和旋转磁控靶；

步骤1中对基材进行清洗时，连通第二接触器和第四接触器，断开第一接触器和第三接触器；步骤2中在基材上沉积金属过渡层时，连通第一接触器和第三接触器，断开第二接触器和第四接触器；步骤3中在金属过渡层上沉积DLC层时，连通第一接触器，断开第二接触器、第三接触器和第四接触器。

2.如权利要求1所述的基于阳极技术的DLC镀膜方法，其特征是：

步骤2中，所述在基材上沉积金属过渡层，进一步包括：

在惰性气氛下，在基材上沉积金属层；

在惰性气氛下，通入碳氢类原料气体，在金属层上逐一沉积金属-碳化金属的梯度层、碳化金属层；

金属层、金属-碳化金属的梯度层、碳化金属层构成金属过渡层。