[发明专利]一种CMP设备承载台表面的处理方法

说明书

本发明提供了一种CMP设备承载台表面的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)配制氧化液，所述氧化液由硼酸、硫酸、醋酸、铬酸、氯化铵、二氧化硅磨料和丙三醇组成；(B)将CMP设备承载台面板采用稀土盐溶液进行前驱处理，所述稀土盐溶液中包括Ce(NO₃)₃50‑70g/L，Nd(NO₃)₃40‑60g/L，Ni(NO₃)₃75‑95g/和Y(NO₃)₃15‑45g/L；(C)将经过上述前驱处理的面板采用所述氧化液进行阳极氧化处理20‑60min，电流密度控制在1‑3A/dm²，处理温度为30‑40℃。通过采用本发明实施例的处理方法对CMP设备承载台表面处理后，在承载台表面形成氧化膜，并且该氧化膜经过了特殊的前驱处理过程中表现出了更优异的力学性能，电化学性能以及耐腐蚀性能，这样不同尺寸研磨颗粒的腐蚀性溶剂流经承载台表面时，不会对承载台表面有任何损害，通过采用本发明特殊的处理方法，提升了承载台本身的抗腐蚀性、耐溶剂性以及热稳定性。

技术领域

本发明涉及制作芯片的CMP设备加工领域，具体而言，涉及一种CMP设备承载台表面的处理方法。

背景技术

CMP设备用于IC芯片制造，对晶圆实现纳米级加工，工作环境特殊，要求长时间保持工作区域高洁净度，避免晶圆被杂质污染。对于为工作区抛光盘及抛光头起到支撑稳固作用的设备承载台，要求其在满足刚度强度的同时，表面不能在任何正常工况试用下产生出现污染颗粒的掉漆、裂痕等现象。

在承载台实际应用过程中，一方面根据抛光晶圆材料，有不同酸、碱、盐雾及各类带有不同尺寸研磨颗粒的腐蚀性溶剂流经承载台表面，故需要表面具有良好的耐腐蚀性，耐溶剂性，涂装密着性及热稳定性等特性，另一方面，承载台需要起到固定支撑抛光盘及承受抛光头载荷，故要求承载台有良好的刚度、强度、散热性及减震性能。

现有技术中，一般是采用阳极氧化膜的处理方法，在镁铝合金表面进行阳极氧化是目前应用最广泛的铝合金表面处理方法，氧化膜厚一般在5-20μm，硬质阳极氧化可达60-250μm，由于阳极氧化得到的膜层比化学氧化膜硬、耐蚀性、耐热性、绝缘性及吸附能力更好，因而应用范围更广，但是这种阳极氧化处理的方法，容易在被处理金属表面留下斑点、沉积物，久而久之缺陷逐渐变大，导致氧化膜表面的粗糙不平，影响到阳极氧化膜本身的性能，热稳定性、物理性能也会受到一定的影响。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CMP设备承载台表面的处理方法，通过采用本发明实施例的处理方法对CMP设备承载台表面处理后，在承载台表面形成氧化膜，并且该氧化膜经过了特殊的前驱处理过程中表现出了更优异的力学性能，电化学性能以及耐腐蚀性能，这样不同尺寸研磨颗粒的腐蚀性溶剂流经承载台表面时，不会对承载台表面有任何损害，通过采用本发明特殊的处理方法，提升了承载台本身的抗腐蚀性、耐溶剂性以及热稳定性。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

本发明提供了一种CMP设备承载台表面的处理方法，包括如下步骤：

(A)配制氧化液，所述氧化液由硼酸、硫酸、醋酸、铬酸、氯化铵、二氧化硅磨料和丙三醇组成；

(B)将CMP设备承载台面板采用稀土盐溶液进行前驱处理，所述稀土盐溶液中包括Ce(NO₃)₃50-70g/L，Nd(NO₃)₃40-60g/L，Ni(NO₃)₃75-95g/和Y(NO₃)₃15-45g/L；