[发明专利]一种逆阻型氮化镓器件有效
| 申请号： | 201711119005.6 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107910364B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;崔兴涛;施宜军;李茂林;刘杰;刘超;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 氮化 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种逆阻型氮化镓器件，包括衬底(1)、位于衬底上表面的GaN缓冲层(2)和位于GaN缓冲层(2)上表面的InAlN势垒层(3)，所述GaN缓冲层(2)和InAlN势垒层(3)形成异质结；所述InAlN势垒层(3)两侧上表面具有与其形成肖特基接触的源极金属(4)和漏极金属(5)；所述漏极金属(5)的功函数大于所述源极金属(4)的功函数；所述漏极金属(5)采用功函数大于5eV的金属或合金，源极金属(4)采用功函数小于5eV的金属或合金；漏极金属(5)在绝缘栅介质(6)上向凹槽栅结构(8)方向延长形成漏极场板；在靠近源极(4)一侧有嵌入势垒层(3)的凹槽栅结构(8)；所述凹槽栅结构(8)由栅介质(6)、栅极金属(7)构成。
2.根据权利要求1所述的逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述衬底(1)采用的材料是硅、蓝宝石、碳化硅或氮化镓中的一种。
3.根据权利要求2所述的逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述势垒层(3)为III族元素In、Al、N形成的三元化合物。
4.根据权利要求3所述的逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述绝缘栅介质(6)采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、Sc2O3或HfO2中的一种。
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