[发明专利]一种低压控制晶硅片磷扩散系统在审
申请号: | 201711115386.0 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN108010988A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 杨斌;訾浩明;都基庆 | 申请(专利权)人: | 江苏爱多能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 张斌 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 控制 硅片 扩散 系统 | ||
一种低压控制晶硅片磷扩散系统,本发明涉及太阳能电池板技术领域;它包含石英扩散管、真空泵、尾气管、压力传感器、进气管、控制阀门;所述的真空泵通过管道与石英扩散管的尾气管连接,连接管道上设有压力传感器和控制阀门;所述的进气管连接在石英扩散管上。能够控制电池片的方块电阻的稳定性和单片的均匀性,提升制程控制水平;由于采用了低压扩散的方式,可以大幅度的降低扩散使用磷源,从而降低生产成本,更好的满足不同客户的需求,实用性更强。
技术领域
本发明涉及太阳能电池板技术领域,具体涉及一种低压控制晶硅片磷扩散系统。
背景技术
随着社会的发展,煤炭、石油等不可再生资源日益减少,寻找和开发新能源成为当前人类面临的迫切课题,不可再生能源在使用过程中对生态环境的影响也不断引起人们的关注。光伏发电作为一种最具潜力的可再生能源利用方式,成为取代传统的石化能源,支持人类可持续发展的主要技术,在最近几年获得飞速发展,在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位,不但要替代部分常规能源,而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年,可再生能源在总能源结构中将占到30%以上,而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10%以上;到2040年,可再生能源将占总能耗的50%以上,太阳能光伏发电将占总电力的20%以上;到21世纪末,可再生能源在能源结构中将占到80%以上,太阳能发电将占到60%以上。这些数字足以显示出太阳能光伏产业的发展前景及其在能源领域重要的战略地位。由此可以看出,太阳能电池市场前景广阔。
晶硅电池技术发展的趋势是低成本高效率,这也是光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。成本的下降依赖于现有材料成本的下降、产能提升、工艺的简化及新材料的开发。组件寿命的提升依赖于组件封装材料及封装工艺的改善。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种结构简单,设计合理、使用方便的低压控制晶硅片磷扩散系统,能够控制电池片的方块电阻的稳定性和单片的均匀性,提升制程控制水平;由于采用了低压扩散的方式,可以大幅度的降低扩散使用磷源,从而降低生产成本,更好的满足不同客户的需求,实用性更强。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:它包含石英扩散管、真空泵、尾气管、压力传感器、进气管、控制阀门;所述的真空泵通过管道与石英扩散管的尾气管连接,连接管道上设有压力传感器和控制阀门;所述的进气管连接在石英扩散管上。
进一步地,所述的石英扩散管与真空泵连接的管道上设有流量表。
进一步地,所述的控制阀门与石英扩散管之间的连接管道上设有泄气阀门。
本发明的工作原理:通过真空泵的抽真空作用,使石英扩散管反应腔内处于真空状态,然后从进气管通入工艺的所有相关气体,扩散过程中使石英扩散管腔室内维持在恒定的真空状态下,从而保证腔室内磷离子浓度的恒定,由于真空条件下气体分子的自由程增加,气体分子在硅片表面的附着能力也有很大的改善,且避免了大量气体的运动,此时磷离子可以稳定的均匀分布在硅片的表面,且在标片表面扩散一层均匀的杂质原子,从而保证扩散的均匀性;由于真空腔室内气流更加的均匀稳定,允许插片更加密集的硅片,可以成倍的增加扩散产能。
采用上述结构后,本发明有益效果为:本发明所述的一种低压控制晶硅片磷扩散系统,能够控制电池片的方块电阻的稳定性和单片的均匀性,提升制程控制水平;由于采用了低压扩散的方式,可以大幅度的降低扩散使用磷源,从而降低生产成本,更好的满足不同客户的需求,实用性更强,本发明具有结构简单,设置合理,制作成本低等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的