[发明专利]一种低压控制晶硅片磷扩散系统在审
申请号: | 201711115386.0 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN108010988A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 杨斌;訾浩明;都基庆 | 申请(专利权)人: | 江苏爱多能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 张斌 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 控制 硅片 扩散 系统 | ||
1.一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:它包含石英扩散管、真空泵、尾气管、压力传感器、进气管、控制阀门;所述的真空泵通过管道与石英扩散管的尾气管连接,连接管道上设有压力传感器和控制阀门;所述的进气管连接在石英扩散管上。
2.根据权利要求1所述的一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:所述的石英扩散管与真空泵连接的管道上设有流量表。
3.根据权利要求1所述的一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:所述的控制阀门与石英扩散管之间的连接管道上设有泄气阀门。
4.一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:它的工作原理:通过真空泵的抽真空作用,使石英扩散管反应腔内处于真空状态,然后从进气管通入工艺的所有相关气体,扩散过程中使石英扩散管腔室内维持在恒定的真空状态下,从而保证腔室内磷离子浓度的恒定,由于真空条件下气体分子的自由程增加,气体分子在硅片表面的附着能力也有很大的改善,且避免了大量气体的运动,此时磷离子可以稳定的均匀分布在硅片的表面,且在标片表面扩散一层均匀的杂质原子,从而保证扩散的均匀性;由于真空腔室内气流更加的均匀稳定,允许插片更加密集的硅片,可以成倍的增加扩散产能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的