[发明专利]一种低压控制晶硅片磷扩散系统在审

专利信息
申请号: 201711115386.0 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN108010988A 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 杨斌;訾浩明;都基庆 申请(专利权)人: 江苏爱多能源科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 张斌
地址: 214400 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 控制 硅片 扩散 系统
【权利要求书】:

1.一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:它包含石英扩散管、真空泵、尾气管、压力传感器、进气管、控制阀门;所述的真空泵通过管道与石英扩散管的尾气管连接,连接管道上设有压力传感器和控制阀门;所述的进气管连接在石英扩散管上。

2.根据权利要求1所述的一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:所述的石英扩散管与真空泵连接的管道上设有流量表。

3.根据权利要求1所述的一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:所述的控制阀门与石英扩散管之间的连接管道上设有泄气阀门。

4.一种低压控制晶硅片磷扩散系统,其特征在于:它的工作原理:通过真空泵的抽真空作用,使石英扩散管反应腔内处于真空状态,然后从进气管通入工艺的所有相关气体,扩散过程中使石英扩散管腔室内维持在恒定的真空状态下,从而保证腔室内磷离子浓度的恒定,由于真空条件下气体分子的自由程增加,气体分子在硅片表面的附着能力也有很大的改善,且避免了大量气体的运动,此时磷离子可以稳定的均匀分布在硅片的表面,且在标片表面扩散一层均匀的杂质原子,从而保证扩散的均匀性;由于真空腔室内气流更加的均匀稳定,允许插片更加密集的硅片,可以成倍的增加扩散产能。

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