[发明专利]一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法

权利要求书

1.一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，制备活性SiO₂溶胶：以TEOS为硅源原料，水和C₂H₅OH为溶剂，硝酸为催化剂并调节PH，搅拌，得到活性SiO₂溶胶；

步骤二，制备SiO₂和CaC₂O₄的悬浮浆体：以CaC₂O₄为钙源，将CaC₂O₄分次加入到搅拌状态下的活性SiO₂溶胶中，并继续搅拌，得到SiO₂和CaC₂O₄混合的悬浮浆体；

步骤三，将步骤二中得到的悬浮浆体置于干燥箱中充分干燥，干燥后，再经研磨得到SiO₂和CaC₂O₄均匀混合粉体，并以10 MPa压力压制成薄片状生料；

步骤四，将步骤三中薄片状生料进行煅烧，烧结后进行球磨，球磨后得到C₃S粉体。

2.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤一中，所述的水为去离子水以及蒸馏水中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤一中，所述的硝酸调节的PH为1-2。

4.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤一中，所述的TEOS以及C₂H₅OH为分析纯；其中TEOS、水和C₂H₅OH的摩尔比为1：4-5:20-25。

5.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤二中，加入的SiO₂和CaC₂O_4，所述的Ca/Si化学计量比为3：1。

6.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤二中，所述的搅拌温度为30-60℃，并搅拌2-4小时。

7.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤三中，所述的干燥条件为120°C干燥箱中充分干燥。

8.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤四中，所述的球磨条件为利用行星球磨机以300-400 r/min球磨3-6小时。

9.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的步骤四中，所述的煅烧温度为1400-1450°C，煅烧时间为6-12小时。

10.根据权利要求1所述的一种湿化学法制备高纯超细硅酸三钙粉体的方法，其特征在于，所述的粉体中游离的氧化钙(f-CaO)含量在0.5%以下，粉体平均粒径为2.92-4.01µm，比表面积达2060m²/kg。