[发明专利]一种金属氢化物薄片制备方法有效
| 申请号： | 201711103823.7 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107697886B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李启寿;程亮;叶林森;李强;雷洪波;张佳佳;何林;谢东华;谢金华;杨勇;单东伟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C01B6/04 | 分类号： | C01B6/04 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 沈强 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氢化物 薄片 制备 方法 | ||
1.一种金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述金属氢化物薄片的直径为10mm-20mm，厚度为0.5mm-1mm；
包括如下步骤：
(1)在金属氢化物片材表面沉积一层致密的防水高分子膜，得到第一片材；
(2)将第一片材置于金相制样机进行处理，打磨至设定厚度，得到第二片材；
(3)在第二片材新磨制面化学气相沉积防水高分子膜，即得用于提取太赫兹特征波的金属氢化物薄片；
所述金属氢化物为氢化钙，所述防水高分子膜以对二甲苯环二体为原料。
2.根据权利要求1所述金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，将金属氢化物片材进行清洁处理后，将其置于沉积室内进行气相沉积，从而在金属氢化物片材表面沉积一层致密的防水高分子膜；
沉积条件如下：温度640℃-660℃，真空4.0Pa-6.2Pa；
初始金属氢化物片材尺寸：直径为10mm-20mm，厚度为2mm-4mm。
3.根据权利要求1所述金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述步骤1中，金属氢化物片材为圆形。
4.根据权利要求1-3任一项所述金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，将涂有防水高分子膜的第一片材置于金相制样机圆盘，利用其配备的气压传动压杆将第一片材固定，以挥发性溶剂为介质进行磨制，磨制条件如下：压力为10N-30N，时间为40sec-2min；磨制至目标尺寸后，立即将其投入装有挥发性溶剂的玻璃容器中；所述挥发性溶剂为不与金属氢化物反应的溶剂。
5.根据权利要求4所述金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，磨制时采用的砂纸为500#-1000#。
6.根据权利要求1所述金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，将第二片材新磨制面清洁后，将其朝上放置在沉积室内进行气相沉积，沉积条件如下：温度640℃-660℃，真空4.0Pa-6.2Pa。
7.根据权利要求2、6任一项所述金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述步骤(1)、(3)中，清洁处理为超声清洁，超声频率为120Hz，超声时间为3min-5min，清洗介质为不与金属氢化物反应的挥发性溶剂。
8.根据权利要求1、2、6任一项所述金属氢化物薄片制备方法，其特征在于，所述步骤(1)、(3)中的防水高分子膜的成分为对二甲苯环二体，膜厚度为0.02mm-0.05mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院材料研究所，未经中国工程物理研究院材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711103823.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铝灰的无害化处理利用方法
- 下一篇：一种改进的粗钡、锶的浸取装置及其浸取工艺
