[发明专利]一种抛光液及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201711103154.3 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN107936849B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 金炳生;高小云;刘兵 申请(专利权)人: 苏州晶瑞化学股份有限公司
主分类号: C09G1/04 分类号: C09G1/04
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 汪青
地址: 215214 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 抛光 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明公开了一种抛光液及其制备方法和应用,以质量百分含量计,抛光液由以下组分组成:无机碱性化合物1~20%,添加剂0.1~1%,余量为去离子水;添加剂由以下组分组成:异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.01~0.5%,烷基多糖苷0.5~5%,余量为去离子水;制备方法:1)按照添加剂中各组分的质量占比称取各组分,然后将各组分相混合,即得添加剂;2)按照抛光液中各组分的质量占比称取各原料,先将无机碱性化合物加入去离子水中,然后再与步骤(1)制备的添加剂相混合,即得抛光液;应用:抛光液在金刚线切割多晶硅片后抛光过程中的应用;本发明的抛光液具有使被处理后的多晶硅减薄量极少,还能间接地提升光电转化率。

技术领域

本发明属于太阳能电池领域,尤其涉及金刚线切割多晶硅片后的抛光处理,具体涉及一种抛光液及其制备方法和应用。

背景技术

降本提效是光伏从业者孜孜不倦的追求。在硅片端,金刚线切片技术已展现出很大的优势,单晶硅片凭借金刚线切割技术的大规模应用,制造成本大幅降低,多晶市场由此受到挤压,使得多晶硅片降本压力进一步增大。然而,多晶硅片在使用金刚线切割时,经过抛光处理后,表面反射率更高并有明显的线痕等外观缺陷,严重降低电池效率,阻碍了金刚线切多晶硅片的大规模推广。

常规的硅片表面抛光或制绒,主要是采用NaOH/异丙醇(IPA)体系,虽然具有一定的效果,但异丙醇对人体有危害,会造成环境污染,且抛光效果也不理想(例如抛光速度较快,抛光后的多晶硅的反射率仍较高),因此,本领域的技术人员急需寻求一种既能够对环境友善又能够实现较好的抛光效果的抛光液。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种对环境友善、降低抛光速率以及有利于后续对多晶硅进行黑硅等技术处理的抛光液。

本发明同时还提供了了一种抛光液的制备方法。

本发明同时又提供了一种抛光液在金刚线切割多晶硅片后抛光过程中的应用。

为解决以上技术问题,本发明采取的一种技术方案如下:

一种抛光液,用于金刚线切割多晶硅后的抛光处理,以质量百分含量计,所述抛光液由以下组分组成:无机碱性化合物1~20%,添加剂0.1~1%,余量为去离子水;

其中,以质量百分含量计,所述添加剂由以下组分组成:异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.01~0.5%,烷基多糖苷0.5~5%,余量为去离子水。

优选地,以质量百分含量计,所述抛光液由以下组分组成:无机碱性化合物5~15%,添加剂0.1~0.6%,余量为去离子水。更优选地,以质量百分含量计,所述抛光液由以下组分组成:无机碱性化合物8~12%,添加剂0.1~0.3%,余量为去离子水。

根据上述方案的一些优选方面,以质量百分含量计,所述添加剂由异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.01~0.3%,烷基多糖苷0.5~3%,余量为去离子水。更优选地,以质量百分含量计,所述添加剂由异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.01~0.1%,烷基多糖苷0.5~3%,余量为去离子水。

在本发明的一些具体实施方式中,所述无机碱性化合物为氨水、硅酸钠、硼酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠和磷酸钠中的一种或多种的组合。

根据本发明的一些优选方面,所述异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯的聚合度为3~5。

根据本发明的一些优选方面,所述烷基多糖苷由可再生资源天然脂肪醇和葡萄糖按摩尔比1:1合成,所述可再生资源天然脂肪醇的碳链长度为8~10。

本发明提供的又一技术方案:一种上述所述的抛光液的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:

(1)添加剂的制备:按照所述添加剂中各组分的质量占比称取各组分,然后将各组分相混合,搅拌,即得;

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