[发明专利]一种省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法

权利要求书

1.一种省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：

在衬底上形成隧穿氧化层；

在所述隧 穿氧化层上形成多晶硅浮栅层；

在所述多晶硅浮栅层上形成介质层；

在所述介质层上形成多晶硅控制栅层；

涂覆光刻胶层，定义光刻胶图案，采用干法刻蚀形成栅极结构，去除光刻胶，并以所述多晶硅控制栅层为阻挡层，执行第一次离子注入形成Flash器件轻掺杂扩散区；

涂覆光刻胶层，定义光刻胶图案，去除Flash器件源极上方光刻胶，执行第二次离子注入形成Flash器件源极，再次执行第三次离子注入，对自对准源极工艺刻蚀源极造成的源极电阻上升进行补偿，其中，所述第一次离子注入、所述第二次离子注入和所述第三次离子注入的掺杂体浓度均为1e¹⁸~1e²¹cm^-3；

去除光刻胶，形成Flash器件栅极结构的侧墙；

执行第四次离子注入，形成Flash器件重掺杂漏区。

2.根据权利要求1所述的省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，所述隧穿氧化层厚度为5~15nm。

3.根据权利要求1所述的省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，所述多晶硅浮栅层的厚度为50~80nm，其掺杂体浓度为1e¹⁸~1e²¹ cm^-3。

4.根据权利要求1所述的省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，所述介质层的厚度为10~20nm。

5.根据权利要求1所述的省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，所述多晶硅控制栅层的厚度为100~300nm，其掺杂体浓度为1e¹⁸~1e²¹ cm^-3。

6.根据权利要求1所述的省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，所述Flash器件栅极结构的侧墙厚度为10埃~1000埃。

7.根据权利要求1所述的省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，所述第四次离子注入形成Flash器件重掺杂漏区的掺杂体浓度为1e¹⁸~1e²¹ cm^-3。