[发明专利]基于基板的扇出型晶圆级封装

权利要求书

1.制造基于基板的扇出型晶圆级封装的方法，其特征在于：

提供基板(10)；

施加第一光致抗蚀剂图案(12)；；

在所述第一光致抗蚀剂图案(12)上沉积铜或铜合金(13)；

施加第二光致抗蚀剂图案(24)；

通过在所述第二光致抗蚀剂图案(24)上沉积铜或铜合金(13)层来形成芯片连接部位支柱(26)；

通过倒装片结合连接半导体器件(28)，所述连接包括：

在所述半导体器件(28)与芯片连接部位(26)之间形成多个互连凸块(29)；和

在所述半导体器件(28)与所述基板(10)之间形成空间(31)；

用保护层(11)包封所述半导体器件(28)；

薄化所述基板的第二面，所述薄化包括包括铜蚀刻及薄化；

在所述第二面(32)上施加球栅阵列图案(34)；

用铜(13)蚀刻所述第二面(32)；

施加阻焊层(36)；

连接多个球滴(38)；和

将单元(40)切单颗分离。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述基板(10)包括铜(13)和所述保护层(11)。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一图案(12)包括多个触点(16)和通道(18)。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于所述图案(12)被施加于第一面(14)，所述方法还包括：

用化学抗蚀剂(20)涂覆所述第一面(14)，形成多个触点(16)；和

将所述第一面暴露于蚀刻剂，以形成通道(18)。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述空间(31)通过化学蚀刻形成于所述半导体器件(28)与所述基板(10)之间。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述空间(31)通过激光烧蚀形成于所述半导体器件与所述基板之间。

7.基于基板的扇出型晶圆级封装，其特征在于

基板(10)；

第一光致抗蚀剂图案(12)，所述第一光致抗蚀剂图案适于施加到所述基板(10)；

铜或铜合金层(13)，所述铜或铜合金层适于施加到所述第一光致抗蚀剂图案(12)顶上；

第二光致抗蚀剂图案(24)，所述第二光致抗蚀剂图案适于施加到所述铜或铜合金层(13)之上；

多个芯片连接部位支柱(26)，所述芯片连接部位支柱包括多个互连凸块(29)并且形成于所述第二光致抗蚀剂图案(24)顶部上；

半导体器件(28)，所述半导体器件适于布置在所述互连凸块(29)上方；

保护层(11)，所述保护层形成包围半导体器件(28)的密封材料；

球栅阵列图案(34)，其适于施加于所述基板的第二面(32)；

施加于所述球栅阵列图案(34)之下的阻焊层(36)；和

连接至所述阻焊层(36)的多个焊球(38)。

8.如权利要求7所述的封装，其特征在于所述保护层(11)选自化合物、聚酰亚胺、树脂或惰性金属层。

9.如权利要求7所述的封装，其特征在于所述基板包括应力消除设计。

10.如权利要求9所述的封装，其特征在于所述应力消除设计是星形设计。

11.如权利要求9所述的封装，其特征在于所述应力消除设计是笛卡尔坐标设计。

12.如权利要求7所述的封装，其特征在于包括薄化工艺。

13.如权利要求12所述的封装，其特征在于包括载体移除工艺。