[发明专利]Micro LED转运装置、转运方法及其制作方法有效
申请号: | 201711079117.3 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107863316B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 李飞 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/673 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田雪姣;王宝筠 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 转运 装置 方法 及其 制作方法 | ||
1.一种Micro LED转运装置,其特征在于,包括:转运基板、位于所述转运基板上的驱动电极、以及位于所述驱动电极背离所述转运基板一侧的转运单元阵列,所述转运单元阵列包含多个转运单元;
其中,所述驱动电极为导电传输线,所述驱动电极的一端与驱动芯片直接相连,另一端与所述转运单元电连接,所述驱动芯片输出的驱动电压,经过所述驱动电极的传输,直接施加在所述转运单元上,以使所述转运单元产生电磁力、或热能、或静电,以吸附Micro LED;
其中,所述驱动电极包括:
沿第一方向排布的多个第一电极和沿第二方向排布的多个第二电极,所述第一方向与所述第二方向相交;
所述多个第一电极和所述多个第二电极位于不同层,且采用绝缘层绝缘设置,其中,所述多个第一电极或所述多个第二电极位于所述转运基板表面上;
所述多个第一电极均与所述驱动芯片电连接,所述多个第二电极均与所述驱动芯片电连接。
2.根据权利要求1所述的Micro LED转运装置,其特征在于,所述驱动电极包括:
位于所述转运基板表面上,且沿第一方向排布的多个第一电极,所述多个第一电极均与所述驱动芯片电连接;
位于所述第一电极表面上的第一绝缘层,所述第一绝缘层上具有多个第一通孔;
位于所述第一绝缘层表面上,且沿第二方向排布的多个第二电极,所述第一方向与所述第二方向相交,所述多个第二电极均与所述驱动芯片电连接;
位于所述第二电极与所述转运单元之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层上具有多个第二通孔和多个第三通孔,其中,所述第一通孔与所述第三通孔连通;
其中,所述第一电极通过贯穿所述第一通孔和第三通孔的导电材料,与所述转运单元的第一电极引线电连接,所述第二电极通过贯穿所述第二通孔的导电材料,与所述转运单元的第二电极引线电连接。
3.根据权利要求1所述的Micro LED转运装置,其特征在于,所述驱动电极包括:
位于所述转运基板表面上,且沿第二方向排布的多个第二电极,所述多个第二电极均与所述驱动芯片电连接,所述转运基板具有多个第二通孔和多个第三通孔;
位于所述第二电极表面上的第一绝缘层,所述第一绝缘层上具有多个第一通孔,其中,所述第一通孔与所述第三通孔连通;
位于所述第一绝缘层表面上,且沿第一方向排布的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交,所述多个第一电极均与所述驱动芯片电连接;
位于所述第一电极表面上的第一保护层;
所述转运单元设置于所述转运基板背离所述第二电极的一侧,且所述转运单元包括第一电极引线和第二电极引线;
其中,所述第一电极通过贯穿所述第一通孔和第三通孔的导电材料,与所述转运单元的第一电极引线电连接,所述第二电极通过贯穿所述第二通孔的导电材料,与所述转运单元的第二电极引线电连接。
4.根据权利要求2或3所述的Micro LED转运装置,其特征在于,所述转运单元远离所述转运基板的区域还设置有铁磁性结构、以及缠绕所述铁磁性结构的导电线圈,所述导电线圈的一端与所述第一电极引线电连接,另一端与所述第二电极引线电连接。
5.根据权利要求2或3所述的Micro LED转运装置,其特征在于,所述转运单元远离所述转运基板的区域还设置有发热电极,所述发热电极的一端与所述第一电极引线电连接,另一端与所述第二电极引线电连接。
6.根据权利要求5所述的Micro LED转运装置,其特征在于,所述转运单元远离所述转运基板的区域还设置有热熔材料,所述发热电极与所述热熔材料接触,以在通电的状态下,熔化所述热熔材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711079117.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造