[发明专利]一种像素结构、掩膜版、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201711079011.3 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107742637A | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 王志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 掩膜版 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种像素结构、掩膜版、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有主动发光、视角大、色域广、响应快、对比度高的显示特性,且具有轻薄、柔性、节能等优点,已成为最具潜力的新型平板显示技术。
传统技术中,如图1所示,有机发光二极管像素排列结构通常由多个像素点(如图中虚线框A所示)组成矩阵,每个像素点包含红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B),各子像素按照特定的顺序排列,构成了呈矩阵排列的多个像素点。
OLED器件中的发光层一般采用蒸镀的方式制作,在蒸镀工艺过程中,采用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)进行遮挡,因而发光材料按照掩膜板的开口形状被蒸镀到背板玻璃的指定位置,一般掩膜版上的一个开口对应OLED器件像素结构中的一个子像素。然而,由于受掩膜板制作工艺及蒸镀工艺的限制,很难通过减小FMM开口尺寸的方式提高OLED器件像素结构的分辨率。
发明内容
本发明实施例提供了一种像素结构、掩膜版、显示面板及显示装置,用以解决现有技术中存在的无法提高OLED器件像素结构的分辨率的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种像素结构,包括:多个呈阵列排布的重复单元;
每一个所述重复单元包括在行方向上并排设置的三个子像素组,且每一个所述重复单元中的各所述子像素组的颜色不同;
每一个所述子像素组包括排列在两行三列的六个颜色相同的子像素,且两行所述子像素之间在列方向上相互对齐;
在列方向上相邻的两个所述重复单元,在列方向上错开个所述子像素组的宽度,所述子像素组的宽度为三个所述子像素在行方向上的宽度。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述像素结构中,每一个所述子像素组中,两行所述子像素之间在列方向上相互对齐。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述像素结构中,在列方向上相邻的两个所述重复单元,在列方向上错开个所述子像素组的宽度。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述像素结构中,每一个所述子像素组中的各所述子像素的大小相同。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述像素结构中,所述子像素的形状为正方形。
第二方面,本发明实施例还提供了一种制作上述像素结构的掩膜版,包括:多个呈阵列排布的开口区域;
所述开口区域的形状与所述子像素组的形状一致,且各所述开口区域对应的各所述子像素组的子像素的颜色相同。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述掩膜版中,各所述开口区域在行方向上等间距分布,且在列方向上等间距分布。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述掩膜版中,在相邻两行所述开口区域中,在列方向上相邻的两个所述开口区域,在列方向上错开个所述子像素组的宽度。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括:上述像素结构。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述显示面板为有机电致发光显示面板。
第四方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括:上述显示面板。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的像素结构、掩膜版、显示面板及显示装置,该像素结构,包括:多个呈阵列排布的重复单元;每一个重复单元包括在行方向上并排设置的三个子像素组,且每一个重复单元中的各子像素组的颜色不同;每一个子像素组包括排列在两行三列的六个颜色相同的子像素;在列方向上相邻的两个重复单元,在列方向上错开个子像素组的宽度,子像素组的宽度为三个子像素在行方向上的宽度。本发明实施例提供的像素结构中,由于每一个子像素组中包括六个颜色相同的子像素,在制作该像素结构时,同一个子像素组中的六个子像素可以对应掩膜版上的同一个开口,即可以采用掩膜版上的一个开口同时蒸镀六个子像素,降低了掩膜版的加工难度和显示面板的工艺要求,也提高了显示面板的解析度。
附图说明
图1为现有技术中像素结构的示意图;
图2为本发明实施例提供的像素结构的示意图之一;
图3为本发明实施例提供的像素结构的示意图之二;
图4为本发明实施例提供的像素结构的示意图之三;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的